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J-GLOBAL ID:201802256100376602   整理番号:18A0159851

強化された二次電子放出を有する高電圧オープンパルス放電におけるピコ秒絶縁破壊【Powered by NICT】

Picosecond Breakdown in High-Voltage Open Pulse Discharge With Enhanced Secondary Electron Emission
著者 (6件):
資料名:
巻: 45  号: 12  ページ: 3202-3208  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0036B  ISSN: 0093-3813  CODEN: ITPSBD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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300ps破壊は10~20nsの範囲の上昇時間電圧パルスを適用した対向伝搬電子ビームによる高電圧開放放電の実験で記録された。放電電圧5~13kVのヘリウム中で10~35Torrで中央面における二陰極とグリッド陽極の動作する。セル内粒子モンテカルロ衝突(PIC MCC)シミュレーションで示されたイオン化と励起過程における電子,イオン及び高エネルギー原子の寄与は現在の開発のための重要なことである。放電電流の変化に対するいろいろな発光カソード材料(チタン,炭化けい素,CuAlMg合金)の影響を実験および速度論的PIC MCCシミュレーションで研究した。陰極からの二次電子放出は,破壊の最終段階での支配的過程であることが分かった。電流成長速度は高い二次電子放出収率を持つカソードに対し,大きく(最大700cm~2ns)。カソード材料,印加電圧振幅とガス圧を選択することにより,気体絶縁破壊の特性時間を低減することができる。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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気体放電  ,  プラズマ応用 

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