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J-GLOBAL ID:201802256142402825   整理番号:18A2234698

Zn_0.8Mg_0.2O第2バッファ層による薄いCdSバッファ層を持つCu(In,Ga)Se_2太陽電池の効率向上【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Efficiency of Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells With a Thin CdS Buffer Layer Via a Zn0.8Mg0.2O Second Buffer Layer
著者 (4件):
資料名:
巻: 2018  号: WCPEC  ページ: 3003-3005  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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0.25cm~2の面積を有するCu(In,Ga)Se_2(CIGS)多結晶薄膜太陽電池を,3段階共蒸発法によって調製した。Zn_0.8Mg_0.2O二次バッファ層を適用することにより,20nmのCdS第一バッファ層のみで13.97%の効率でCIGS太陽電池を得た。CdSバッファ層の厚さは,Zn_0.8Mg_0.2O二次バッファ層を適用することによって大いに減少した。Zn_0.8Mg_0.2Oバッファ層は,光学損失と界面再結合を減少させ,CIGS太陽電池の性能を向上させた。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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