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J-GLOBAL ID：201802256252978354   整理番号：18A0152483

置換3,4-ナフタレンジオキシチオフェン(NaPhDOT)単量体を用いたナノリングのためのテンプレート電解重合アプローチ【Powered by NICT】

A Templateless Electropolymerization Approach to Nanorings Using Substituted 3,4-Naphthalenedioxythiophene (NaPhDOT) Monomers

著者 (4件)： Gbilimou Andre (Universite Cote d’Azur, NICE Lab, IMREDD, 06200, Nice, France) ,  Darmanin Thierry (Universite Cote d’Azur, NICE Lab, IMREDD, 06200, Nice, France) ,  Godeau Guilhem (Universite Cote d’Azur, NICE Lab, IMREDD, 06200, Nice, France) ,  Guittard Frederic (Universite Cote d’Azur, NICE Lab, IMREDD, 06200, Nice, France)
資料名： Chemnanomat Chemistry of Nanomaterials for Energy, Biology  (Chemnanomat Chemistry of Nanomaterials for Energy, Biology)
巻： 4  号： 1  ページ： 140-147  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2531A  ISSN： 2199-692X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高度に秩序化した表面構造の形成は,種々の応用のための基本である。実装とそのコストの迅速性に起因して,テンプレートプロセスは,テンプレートやリソグラフィープロセスの使用に非常に興味深い代替案である。ナノチューブのような多孔質構造を調製する目的で,無テンプレート電解重合はユニークなプロセスであることが分かった。以前の研究に基づいて,アルキル鎖(2~10),フェニルおよびナフタレン置換基で置換された3,4-ナフタレンジオキシチオフェン(NaPhDOT)単量体を合成した。特に,ナフタレン(NaphDOT Na)で置換したNaphDOTは相対的に密に充填されたナノリングに初めてがそれらの内部直径は蒸着走査数で制御可能であった。以前の研究,ナフタレン(PheDOT Na)で置換された非置換NaphDOTと3,4-フェニレンジオキシチオフェンからナノチューブをもたらすと比較して,NaphDOT Naを用いることにより,高分子成長における非常に重要な減少を観測した。結果として,気泡周辺でのみ初期peripherical核形成が可能であり,ナノリングにつながる,ナノチューブへの成長は,それらの低伝導率により妨害されているからである。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 導電性高分子 ,  気泡 ,  *電解重合 ,  フェニル基 ,  核形成 ,  表面構造 ,  高分子 ,  ナノチューブ ,  蒸着 ,  *単量体 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 伝導率 ,  置換基 ,  多孔構造 ,  *ナノリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 導電性重合体 ,  nanostructures ,  nanotubes ,  parahydrophobic ,  wettability

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： ナフタレン

タイトルに関連する用語 (5件)： 置換 ,  単量体 ,  ナノリング ,  テンプレート ,  電解重合