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J-GLOBAL ID：201802256283441544   整理番号：18A1474471

パワー半導体 富士電機におけるパワーデバイスの技術開発

著者 (3件)： 西村孝司 (富士電機) ,  関野裕介 (富士電機) ,  柿木秀昭 (富士電機)
資料名： 鉄道車両と技術  (Rolling Stock & Technology)
巻： 24  号： 3  ページ： 17-21  発行年： 2018年06月30日 
JST資料番号： L8126A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・富士電機は,2008年に第5世代のIGBTチップを適用した大容量IGBTモジュールを製品化し,2011年にAlSiCを使った第6世代の大容量IGBTを製品化。
・新パッケージ構造を持つ1700V及び3300V耐圧のIGBTモジュール(High Power next Core : HPnC)を開発。
・次世代デバイスへの期待に応えるため,2013年に新製造ラインを稼働させ,1200~1300V耐圧のSiCチップを開発・生産。

シソーラス用語： *IGBT ,  *半導体素子 ,  技術開発 ,  電流容量 ,  絶縁耐力
準シソーラス用語： *SiCパワーデバイス ,  絶縁耐圧

分類 (2件)： 鉄道車両設計  (QH02010K) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： パワー半導体 ,  パワーデバイス ,  開発