抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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・富士電機は,2008年に第5世代のIGBTチップを適用した大容量IGBTモジュールを製品化し,2011年にAlSiCを使った第6世代の大容量IGBTを製品化。
・新パッケージ構造を持つ1700V及び3300V耐圧のIGBTモジュール(High Power next Core : HPnC)を開発。
・次世代デバイスへの期待に応えるため,2013年に新製造ラインを稼働させ,1200~1300V耐圧のSiCチップを開発・生産。