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J-GLOBAL ID：201802256400780606   整理番号：18A1650116

太陽光発電用の分子溶液インクからの直接被覆Cu_2SnS_3膜【JST・京大機械翻訳】

Direct-coated Cu₂SnS₃ films from molecular solution inks for solar photovoltaics

著者 (9件)： Ghediya Prashant R. (Department of Physics, Marwadi University, Rajkot-Morbi Highway, Rajkot 360003, Gujarat, India) ,  Ghediya Prashant R. (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University, Canberra, ACT 2601, Australia) ,  Chaudhuri Tapas K. (Department of Applied Physics, Sardar Vallabhbhai National Institute of Technology, Ichchhanath, Surat, Gujarat 395007, India) ,  Raj Vidur (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University, Canberra, ACT 2601, Australia) ,  Chugh Dipankar (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University, Canberra, ACT 2601, Australia) ,  Vora Kaushal (Australian National Fabrication Facility, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University, Canberra, ACT 2601, Australia) ,  Li Li (Australian National Fabrication Facility, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University, Canberra, ACT 2601, Australia) ,  Tan Hark Hoe (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University, Canberra, ACT 2601, Australia) ,  Jagadish Chennupati (Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University, Canberra, ACT 2601, Australia)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 88  ページ： 120-126  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cuベース溶液/インク被覆硫化物は,低コスト太陽電池に対して,ここ数年において大きな関心を集めている。本論文では,エチレングリコールとエチレングリコール-イソプロピルアルコール混合物で開発された2つの異なるタイプの分子溶液インクから,純粋な銅硫化スズ膜を直接被覆した。直接被覆膜の構造,組成および微細構造特性を研究し比較した。X線回折とRaman分光分析により,純粋な正方晶硫化銅の形成を確認した。全体として,エチレングリコール-イソプロピルアルコール混合物(グリコホロックインク)から堆積した膜は比較的滑らかで高密度であることが分かった。X線光電子研究は膜中のCu+状態の存在を確認した。膜は光伝導性であり,p型伝導を示した。一般に,膜の微細構造は溶媒のタイプに依存することが分かった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線 ,  光伝導 ,  微細構造 ,  Raman分光法 ,  X線回折 ,  硫化銅 ,  皮膜 ,  *銅 ,  *インク ,  *被覆 ,  太陽電池 ,  正方晶系 ,  *太陽光発電 ,  脂肪族アルコール ,  ジオール
準シソーラス用語： 硫化スズ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 硫化銅スズ ,  直接コーティング ,  分子溶液インク ,  微細構造 ,  Raman分光法 ,  半導体

分類 (5件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： エチレングリコール

タイトルに関連する用語 (4件)： 太陽光発電 ,  分子 ,  溶液 ,  インク