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J-GLOBAL ID：201802256720432501   整理番号：18A0537991

オンチップRF-MEMS駆動のための高電圧LDMOSインバータ【Powered by NICT】

High voltage LDMOS inverter for on-chip RF-MEMS actuation

著者 (7件)： Wipf C. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Sorge R. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Goritz A. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Wipf S. Tolunay (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Scheit A. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Kissinger D. (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Kaynak M (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： SiRF  ページ： 48-50  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,二種の高電圧LDMOSインバータ,チャージポンプと差動リング発振器を設計し,結合させたBiCMOSチップにおけるKaバンドRF-MEMS SPDT(単極双投)スイッチした。回路は,0.25 0.25 0.25μm SiGe中の作製した:C BiCMOSプロセスLDMOSとRF-MEMSモジュールを含む。高電圧インバータの測定された立上り時間と立下り時間は測定装置による負荷として1MO抵抗65pFコンデンサを並列に考慮した2.5μsと2μs以下であった。~200fFのRF-MEMS電極静電容量に基づくシミュレーション 実際の事例応用としては劇的に減少し上昇(電荷)時間と下降(放電)時間10nsと8nsの結果であった。LDMOSインバータの最大動作電圧は45Vであり,これはRF-MEMSスイッチの作動を可能にした。,開発したLDMOSインバータと電荷ポンプにより駆動されるRF-MEMS SPDTスイッチの測定したSパラメータは,実施の成功を実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： BiCMOS ,  計測器 ,  *スイッチ ,  電圧形インバータ ,  コンデンサ ,  電荷 ,  静電容量 ,  リング発振器 ,  放電 ,  Sパラメータ ,  Kaバンド
準シソーラス用語： 立上り時間 ,  チャージポンプ回路 ,  *LDMOS ,  *オンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 継電器・スイッチ  (NA05060K)

タイトルに関連する用語 (6件)： オンチップ ,  RF ,  MEMS ,  高電圧 ,  LDMOS ,  インバータ