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J-GLOBAL ID：201802256836213369   整理番号：18A0840008

ナノワイヤにおけるスパッタリング収率のサイズと曲率への依存性【JST・京大機械翻訳】

Dependence on size and curvature of sputtering yield in nanowires

著者 (2件)： Jimenez-Saez J.C. (Dept Fisica Aplicada a las Ingenierias Aeronautica y Naval, ETSIAE, Universidad Politecnica de Madrid (UPM), 28040, Madrid, Spain) ,  Jimenez-Rodriguez J.J. (Dept Fisica Aplicada III (Electricidad y Electronica), Facultad de Ciencias Fisicas, Universidad Complutense de Madrid (UCM), 28040, Madrid, Spain)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 446  ページ： 273-278  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 〈100〉方向に沿った1-keVアルゴンイオンによる異なる〈110〉Coナノワイヤの衝撃を分子動力学によりシミュレートした。スパッタリング収率を異なる表面曲率に対して解析した。その目的のために,3つの断面形状,すなわち円形,正方形,および菱形に関する結果を得た。低線量を用いて大きな表面損傷を避けた。降伏は曲率の増加と共に増加した。しかし,断面サイズが減少すると,この依存性は修正され,スパイクスパッタリングのような他の現象が起こる。特に,この効果は豊富なスパッタリングを引き起こす。Sigmund理論モデルを用いて予測を比較した。スパッタリング収率の結果は,大きなナノワイヤサイズに対して最大と漸近挙動を示した。これらの漸近値は曲率への依存性を確認した。小さなサイズに対するこの依存性はシミュレーションモデルとは異なる。Sigmundモデルは局所加熱を考慮せず,エネルギー堆積プロファイルはターゲットサイズに依存しないと仮定した。速度ベクトルの角度分布は,格子構造が放出の方向を決定し,したがって,この構造がスパッタリング収率に影響することを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *スパッタリング ,  分子動力学 ,  *曲率 ,  漸近挙動 ,  シミュレーションモデル ,  角分布 ,  降伏 ,  格子構造 ,  *ナノワイヤ ,  衝撃
準シソーラス用語： 速度ベクトル ,  理論モデル ,  表面損傷 ,  断面形状 ,  *スパッタリング収率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： スパッタリング ,  ナノワイヤ ,  イオン衝撃

分類 (5件)： スパッタリング  (BK16110U) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノワイヤ ,  スパッタリング収率 ,  サイズ ,  曲率 ,  依存性