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J-GLOBAL ID：201802257123615229   整理番号：18A0401905

感熱金属 絶縁体-転移抵抗要素に基づくアクティブ熱電子デバイス【Powered by NICT】

Active thermal-electronic devices based on heat-sensitive metal-insulator-transition resistor elements

著者 (3件)： Mizsei Janos (Department of Electron Devices, Faculty of Electrical Engineering and Informatics, Budapest University of Technology and Economics, Budapest, 1117 Hungary) ,  Lappalainen Jyrki (Department of Electrical and Information Engineering, University of Oulu, Oulu, FIN-90014, Finland) ,  Pohl Laszlo (Department of Electron Devices, Faculty of Electrical Engineering and Informatics, Budapest University of Technology and Economics, Budapest, 1117 Hungary)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 267  ページ： 14-20  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい能動的熱電子デバイスファミリを提案した。これらの素子は加熱(入力)および熱感受性(出力)元素を含む隣接した磁区の間の熱(またはホットエレクトロン)結合によって作動する。理論的背景,基礎方程式と比較従来の電子デバイスを本研究の主な課題である。理論的仮定によると,熱電子デバイスの実現は非常に敏感な出力要素すなわち温度センサを必要とする。他の中で,金属-絶縁体転移(MIT)に基づく抵抗はこの要求を満たしている。MIT抵抗自体が高電場でによるサイリスタ型I-V特性を得ている,またはJoule加熱は,与えられた温度で非常に強い階段状抵抗低下を誘導した。熱的に結合したMITおよび/または他の抵抗器を用いて,特別な装置,すなわちphonsistor(=フォノントランジスタ)を構築することが可能である。このデバイスは,従来の電子デバイスと比較してバルク型固有ドメインのみ,有意に少ない領域,接合,空乏層,表面および界面を含むから構成されている。このように,これらの素子は互いにと従来のCMOSと統合した,例えば,成形以上Moore概念の熱電子論理回路(TELC)装置である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 抵抗器 ,  半導体 ,  論理回路 ,  サイリスタ ,  空乏層 ,  磁区 ,  *絶縁体 ,  界面 ,  ホットエレクトロン ,  CMOS ,  温度センサ ,  抵抗加熱
準シソーラス用語： 高電場 ,  基礎方程式 ,  *電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ナノエレクトロニクス ,  熱電子デバイス ,  金属-絶縁体転移(MIT) ,  半導体-金属転移(SMT) ,  VO_2 ,  CMOSを越えて

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 感熱 ,  絶縁体 ,  要素 ,  電子デバイス