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J-GLOBAL ID：201802257305111759   整理番号：18A2022592

MOCVDにより成長させた2.05eV格子整合および変成(Al)GaInP太陽電池の比較研究【JST・京大機械翻訳】

Comparative Study of ~2.05 eV Lattice-Matched and Metamorphic (Al)GaInP Solar Cells Grown by MOCVD

著者 (5件)： Chmielewski Daniel J. (L3 Space & Sensors in Mason, OH, USA) ,  Lepkowski Daniel L. (Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Boyer Jacob T. (Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Grassman Tyler J. (Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Ringel Steven A. (Ohio State University, Columbus, OH, USA)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 8  号： 6  ページ： 1601-1607  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,AlGaInP合金族に基づく二つの概念的に異なるアプローチを研究し,AM0多接合太陽電池の上部セルに使用するために,金属-有機化学蒸着成長2.05eVの直接バンドギャップ材料を作製した。第一のアプローチは,GaAsに格子整合させた(Al_0.32Ga_0.68)_0.52In_0.48P格子を介して,ターゲットバンドギャップを達成した。第二のアプローチは,緩和された格子不整合Ga_0.66In_0.34Pを介してターゲットバンドギャップを達成した。太陽電池特性化と分析装置モデリングは,両方のアプローチに対するメリットと課題を明らかにした。両方のデバイスはp型ベース内で同程度の少数キャリア拡散長と0.54Vの等しいバンドギャップ電圧オフセットを有することが分かり,効果的に類似したベース材料品質を示唆した。しかし,変成Ga_0.66In_0.34Pセルは,特に短波長において,すべての波長にわたって優れた量子効率を示した。モデリング結果は,内部格子整合Al_0.69In_0.31P窓のより広い直接バンドギャップに対する短波長応答の増強と,より長いエミッタ拡散長を属性とした。このように,無視できない格子不整合にもかかわらず,変成Ga_0.66In_0.34Pアプローチに対する増強された短波長応答は,本研究で用いた成長条件に関して,少なくとも有利であることを証明した。完全反射防止被覆の使用を仮定して,より広い直接バンドギャップ窓のみからのより低い寄生光吸収は,約0.72mA/cm2の付加的光電流を提供する。本研究で観測されたより高い品質のエミッタ層と組み合わせて,変成Ga_0.66In_0.34Pアプローチに対して,約1.1mA/cm2の付加的光電流が達成された。これらの値は2.05eVバンドギャップ太陽電池の全利用可能光電流の~3.9%と~6.0%に対応した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モデリング ,  波長 ,  電圧 ,  *変成作用 ,  *太陽電池 ,  ヒ化ガリウム ,  格子不整合 ,  バンドギャップ ,  量子効率 ,  光電流 ,  キャラクタリゼーション ,  *格子整合 ,  光吸収 ,  少数キャリア
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： MOCVD ,  成長 ,  格子整合 ,  変成 ,  Al ,  GaInP ,  太陽電池 ,  研究