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J-GLOBAL ID：201802257495357047   整理番号：18A0757795

多準位メモリ性能に及ぼすペンダント状カルボゾールドナーおよびナフタルイミド受容体とのランダムおよびブロック共重合の影響【JST・京大機械翻訳】

The Effect of Random and Block Copolymerization with Pendent Carbozole Donors and Naphthalimide Acceptors on Multilevel Memory Performance

著者 (9件)： Zhang Qi-jian (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Soochow University, No.199 Renai Road, Suzhou, Jiangsu Sheng, 215123, P. R. China) ,  Zhou Jia-hui (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Soochow University, No.199 Renai Road, Suzhou, Jiangsu Sheng, 215123, P. R. China) ,  Li Hui (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Soochow University, No.199 Renai Road, Suzhou, Jiangsu Sheng, 215123, P. R. China) ,  He Jing-hui (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Soochow University, No.199 Renai Road, Suzhou, Jiangsu Sheng, 215123, P. R. China) ,  Li Na-jun (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Soochow University, No.199 Renai Road, Suzhou, Jiangsu Sheng, 215123, P. R. China) ,  Xu Qing-feng (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Soochow University, No.199 Renai Road, Suzhou, Jiangsu Sheng, 215123, P. R. China) ,  Chen Dong-yun (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Soochow University, No.199 Renai Road, Suzhou, Jiangsu Sheng, 215123, P. R. China) ,  Li Hua (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Soochow University, No.199 Renai Road, Suzhou, Jiangsu Sheng, 215123, P. R. China) ,  Lu Jian-mei (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Soochow University, No.199 Renai Road, Suzhou, Jiangsu Sheng, 215123, P. R. China)
資料名： Chemistry. Asian Journal  (Chemistry. Asian Journal)
巻： 13  号： 7  ページ： 853-860  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1856A  ISSN： 1861-4728  CODEN： CAAJBI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子材料は,それらの独特の利点と定義された伝導機構のために,データ貯蔵装置の製造に広く使われてきた。今日まで,メモリ素子について報告されている運動機能性高分子はランダム共重合により合成されているが,ブロック高分子のメモリ効果に関する報告はない。ここでは,ランダム共重合体(PMCz_8-co-PMBNa_2)とその対応するブロック共重合体(PMCz_8-b-PMBNa_2)を合成し,対応するデバイスのメモリ特性に及ぼす重合方法の影響を研究した。興味深いことに,両方のデバイス(ITO/PMCz_8-co-PMBNa_2/AlおよびITO/PMCz_8-b-PMBNa_2/Al)は,それぞれ-1.7V/-3.3Vおよび-2.7V/-3.8Vの閾値電圧で,三元メモリ性能を示した。しかし,包括的な測定に基づいて,PMCz_8-co-PMBNa_2およびPMCz_8-b-PMBNa_2のメモリ特性は,異なる伝導機構の操作に起因することがわかった。それは,膜状態における異なる分子積層に起因した。したがって,本研究は,高分子ベースのデータ貯蔵デバイスにおける伝導機構の理解の改善に役立つと期待される。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ブロック共重合 ,  *共重合 ,  *記憶装置 ,  受容体 ,  記憶素子 ,  高分子 ,  機能性高分子 ,  データ蓄積 ,  記憶効果 ,  芳香族カルボン酸 ,  酸イミド ,  芳香族縮合化合物 ,  ジカルボン酸
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  伝導機構 ,  高分子材料 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 導電性材料 ,  記憶装置 ,  分子スタッキング ,  窒素複素環 ,  高分子

分類 (3件)： 重合触媒,重合開始剤  (CG04070V) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  共重合  (CG04030D)

物質索引 (1件)： フタルイミド

タイトルに関連する用語 (3件)： ナフタルイミド ,  受容体 ,  ブロック共重合