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J-GLOBAL ID：201802257497669322   整理番号：18A0401500

種々の基板温度で作製したシリコン量子ドットの研究【Powered by NICT】

Studies of silicon quantum dots prepared at different substrate temperatures

著者 (3件)： Al-Agel Faisal A. (Physics Department, College of Science, AlJouf University, PO Box 2014, Sakaka, Saudi Arabia) ,  Suleiman Jamal (Department of Physics, University of Hail, Hail, Saudi Arabia) ,  Khan Shamshad A. (Department of Physics, St. Andrews College, Gorakhpur, U.P., 273001, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 103  ページ： 325-334  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,アルゴンガスの193%,153%および123K固定作動圧力5Torrで異なる基板温度でシリコン量子ドットを合成した。これらのケイ素量子ドットの構造研究を,X線回折,電界放出走査電子顕微鏡(FESEM)と高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)を用いて行った。光学的および電気的特性をUV-可視分光法,Fourier変換赤外(FTIR)分光法,蛍光分光法およびI-V測定システムを用いて調べた。種々の温度で調製したSi量子ドットのX線回折パターンは193K多結晶性質を示すで合成した量子ドットを除いて非晶質性を示した。試料のFESEM画像は,量子ドットのサイズは2nmから8nmに変化することを示唆した。紫外-可視分光法測定に基づいて,Si量子ドットで観測された直接バンドギャップ。FTIRスペクトルは,成長したままのSi量子ドットが部分的に酸化された調製したままの試料の曝露はチャンバーから取り出した後空気に起因することを示唆した。合成したシリコン量子ドットのPLスペクトルは,444nm,Si量子ドットの形成に起因すると思われるで強いピークを示した。dc伝導率の温度依存性は,dc伝導率は温度を上げることにより指数関数的に増強することを示唆した。性質上記すなわち直接バンドギャップ,高い吸収係数と高い伝導度,これらのシリコン量子ドットは,太陽電池の作製に有用であろう。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 吸収係数 ,  電気的性質 ,  温度依存性 ,  画像 ,  *量子ドット ,  *基板温度 ,  FTIR分光法 ,  非晶質 ,  太陽電池 ,  *ケイ素 ,  X線回折 ,  薄膜
準シソーラス用語： 光ルミネセンススペクトル ,  FTIRスペクトル ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Si量子ドット ,  薄膜 ,  XRD ,  光学的性質 ,  電気的性質

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 基板温度 ,  作製 ,  シリコン ,  量子ドット ,  研究