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J-GLOBAL ID：201802257697662629   整理番号：18A0845125

読出し動作のための指数関数としきい値選択器を持つ交差点MRAMアレイの比較研究【JST・京大機械翻訳】

Comparative Study of Cross-Point MRAM Array With Exponential and Threshold Selectors for Read Operation

著者 (2件)： Woo Jiyong (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA) ,  Yu Shimeng (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 5  ページ： 680-683  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 交差点アレイ応用のための指数関数型と閾値型に分類される選択器を持つ磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)素子のトンネル磁気抵抗(TMR)比を調べた。アレイレベルSPICEシミュレーションを通して,著者らは,選択器のタイプによって変化することができるTMR比率が,アレイにおける読出し電流比率に影響を及ぼす方法を解析した。指数選択器を有するMRAMアレイにおいて,選択器が最小外部抵抗を有する高電流駆動性を示すときだけ,高い読出し電圧範囲において2×に近い読出し電流比を達成した。代わりに,スイッチング機構による外部制約なしで十分な電流を提供できる閾値選択器を用いることにより,小さなアレイにおいて2×より大きい比を得ることができ,これはセンシング回路の助けにより識別できる。しかし,技術ノードの積極的なスケーリングは,必然的なワイヤ抵抗をもたらし,それにより比を劣化させる。従って,劣化を緩和する方法の一つと考えられるMRAMの抵抗を最適化することも検討した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  磁気 ,  スイッチング ,  金属線 ,  最適化 ,  *指数関数 ,  *交差点 ,  シミュレーション ,  電流 ,  *選別器
準シソーラス用語： 電流駆動 ,  トンネル磁気抵抗 ,  ReRAM ,  *読出し , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 読出し ,  指数関数 ,  しきい値選択 ,  交差点 ,  MRAM ,  アレイ ,  研究