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J-GLOBAL ID：201802257801179542   整理番号：18A0859915

ナノスケールInGaAs MOSFETにおける全閾値電圧変動性に及ぼすチャネル組成変動の影響について【JST・京大機械翻訳】

On the impact of channel compositional variations on total threshold voltage variability in nanoscale InGaAs MOSFETs

著者 (4件)： Zagni Nicolo (Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari” (DIEF), Universita` degli Studi di Modena e Reggio Emilia, 41125, Modena (MO), Italy) ,  Puglisi Francesco Maria (Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari” (DIEF), Universita` degli Studi di Modena e Reggio Emilia, 41125, Modena (MO), Italy) ,  Pavan Paolo (Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari” (DIEF), Universita` degli Studi di Modena e Reggio Emilia, 41125, Modena (MO), Italy) ,  Verzellesi Giovanni (Dipartimento di Scienze e Metodi dell’Ingegneria (DISMI), Universita` degli Studi di Modena e Reggio Emilia, 42122, Reggio Emilia (RE), Italy)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： EUROSOI-ULIS  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ナノスケールIII-V MOSFETにおける全閾値電圧変動に及ぼすチャネル組成変化の影響を解析した。SynopsysによるSentaurusにおけるTCADシミュレーションを通して,テンプレート二重ゲート超Thin Body(DG-UTB)MOSFETについて解析を行った。インピーダンス場法(IFM)を用いて,5つの異なるソースに対する統計的変動性を評価した。すなわち,ランダムDoppler(RDF),Work関数(WFF),body-and gate-line Edge Roughness(B-LERおよびG-LER),およびBand Gap Flucation(BGF)である。BGFは,チャネル,すなわちInGaAsを構成する化合物半導体中のインジウムの組成変化により生じた。バンドギャップゆらぎを適切にモデル化することにより,異なる量のインジウムモル分率変動に対する最悪ケースの全相対的Vt変動性を同定することが可能であり,重要な参照を持つ技術者を提供することを示した。他の変動源に対するチャネル組成変化の副作用も評価し,B-LERのみに対して無視できない影響を持つことが分かった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： インジウム ,  モデリング ,  シミュレーション ,  *MOSFET ,  バンドギャップ ,  モル分率 ,  化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  ゆらぎ ,  *チャネル
準シソーラス用語： 二重ゲート ,  TCAD ,  組成変化 ,  *閾値電圧 ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノスケール ,  InGaAs ,  MOSFET ,  閾値電圧 ,  変動性 ,  チャネル ,  組成