文献
J-GLOBAL ID:201802257854937525   整理番号:18A1911708

低エネルギー損失の高性能低バンドギャップペロブスカイト太陽電池のための超薄バルクヘテロ接合有機半導体中間体の集積【JST・京大機械翻訳】

Integrating Ultrathin Bulk-Heterojunction Organic Semiconductor Intermediary for High-Performance Low-Bandgap Perovskite Solar Cells with Low Energy Loss
著者 (11件):
資料名:
巻: 28  号: 42  ページ: e1804427  発行年: 2018年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
混合スズ(Sn)-鉛(Pb)ペロブスカイトは,単一接合太陽電池の理論的限界効率を追求し,タンデム太陽電池を構築することによりShockley-Queisser限界を破壊するための最も有望な低バンドギャップ光起電力材料と考えられる。しかしながら,それらの電力変換効率(PCEs)は,それらの深刻なエネルギー損失(E_損失)のため,中間バンドギャップペロブスカイト太陽電池(pero-SCs)のそれらの背後にまだ遅れている。ここでは,超薄バルクヘテロ接合(BHJ)有機半導体(PBDB-T:ITIC)層を,正孔輸送層とSn-Pb系低バンドギャップペロブスカイト膜の中間体として用いて,E_損失を最小化した。このBHJ PBDB-T:ITIC中間体は,デバイスにおけるカスケードエネルギーアラインメントを同時に提供し,高品質Sn-Pbペロブスカイト膜成長を容易にし,ペロブスカイト表面のアンチサイト欠陥を不動態化することが分かった。この簡単な方法において,(FASnI_3)_0.6(MAPbI_3)_0.4(バンドギャップ≒1.25eV)に基づく超-SCsのE_損失は0.4eV以下で劇的に減少し,0.86Vの高い開回路電圧(V_oc)をもたらした。結果として,最良のペルオキシダーゼ-SCは,無視できるJ-Vヒステリシスと高い安定性で18.03%の有意に改善されたPCEを示した。これまで知られているように,18.03%のPCEと0.86VのV_ocが,低バンドギャップの極-SCsの中で今日までの最高値である。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池  ,  高分子固体の物理的性質 

前のページに戻る