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J-GLOBAL ID：201802257871155230   整理番号：18A0758454

単分子層MOS_2/ペロブスカイトヘテロ構造に基づく高性能自己出力光検出器【JST・京大機械翻訳】

A High-Performance Self-Powered Photodetector Based on Monolayer MoS₂/Perovskite Heterostructures

著者 (8件)： Bai Fan (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Qi Junjie (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Li Feng (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Fang Youyin (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Han Weipeng (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Wu Hualin (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Zhang Yue (State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Zhang Yue (Beijing Municipal Key Laboratory of New Energy Materials and Technologies, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China)
資料名： Advanced Materials Interfaces  (Advanced Materials Interfaces)
巻： 5  号： 6  ページ： e1701275  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2484A  ISSN： 2196-7350  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,MoS_2/CH_3NH_3PbI_3垂直型ヘテロ接合に基づく自己給電光検出器が,60MAW-1の応答性と2149/899msの応答/回復時間を有することを最初に報告した。バイアス下では,1522を超える光スイッチング比,205/206msの高速応答/回復時間,および68.11AW-1の高い光応答性を示した。光検出器の光電子性能は,MoS_2/CH_3NH_3PbI_3ヘテロ接合の型に密接に関連し,正孔(電子)輸送場として作用し,正孔と電子の再結合を効果的に減少させることができた。さらに,MoS_2/CH_3NH_3PbI_3平面型ヘテロ接合を構築し,オプトエレクトロニクス挙動における垂直型と比較した。内部場の存在により,垂直型光検出器の特性は平面型のそれらより良く,1476までのオン/オフ比,28AW-1の光応答性,および356/204msの応答速度で良好な性能を示した。これらの結果は,超高性能MoS_2/CH_3NH_3PbI_3ヘテロ接合を形成するための新しい方法を提供し,自己給電光検出器の構築のための有望性を保持し,光起電力およびオプトエレクトロニクス応用のための有望な原子的に薄いMoS_2ヘテロ構造デバイスを開発した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 垂直型 ,  ヘテロ接合 ,  光交換 ,  *単分子層 ,  *光検出器 ,  正孔 ,  バイアス ,  光起電力 ,  応答特性 ,  オプトエレクトロニクス
準シソーラス用語： 応答速度 ,  光応答 ,  高速応答 ,  回復時間 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ヘテロ構造 ,  MoS2 ,  ペロブスカイト ,  光検知器 ,  自己出力

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単分子層 ,  ペロブスカイト ,  ヘテロ構造 ,  高性能 ,  自己 ,  光検出器