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J-GLOBAL ID：201802257971144142   整理番号：18A1708909

光電気化学的水酸化のための単斜晶系BiVO_4ナノロッドアレイの合成 BiVO_4ナノロッドアレイの成長に及ぼすシード層の影響【JST・京大機械翻訳】

Synthesis of monoclinic BiVO₄ nanorod array for photoelectrochemical water oxidation: Seed layer effects on growth of BiVO₄ nanorod array

著者 (2件)： Chen Yu-Shiang (Department of Chemical Engineering and Biotechnology, National Taipei University of Technology, 1 Sec. 3, Zhongxiao E. Rd., Taipei 10608, Taiwan) ,  Lin Lu-Yin (Department of Chemical Engineering and Biotechnology, National Taipei University of Technology, 1 Sec. 3, Zhongxiao E. Rd., Taipei 10608, Taiwan)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 285  ページ： 164-171  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バナジウム酸ビスマスは水酸化の有望な光触媒の一つである。バナジウム酸ビスマスナノロッドの合成は,効率的なキャリア輸送経路による効率的な水酸化を達成するために重要である。シード層の堆積は,フッ素ドープ酸化スズガラス上のバナジウム酸ビスマスナノロッドを成長させるための支持体として必要である。シード層の異なる構成を,フッ素ドープ酸化スズガラス上にバナジウム酸ビスマス前駆体をスピンコーティングし,次に異なるプロセスを用いて層を乾燥することにより作製した。0.5Mの硫酸ナトリウムと0.1Mのリン酸塩緩衝液を含む電解質中で,0.5Mの硫酸ナトリウムと0.1Mのリン酸塩緩衝液を用いて調製した,可逆的水素電極に対する0.57V対可逆水素電極の最小開始電位と0.39mA/cm2の最高光電流密度を得た。これは,より効率的な光照射,より少ない電荷再結合,より効果的な電解質拡散の間の最大ギャップを有する。電気化学インピーダンス分光法を用いて評価した最適化バナジウム酸ビスマス電極に対して,最小電荷移動抵抗も得られた。結果は,種子層を作るための乾燥速度を注意深く制御することにより,光触媒の形態を設計するための代替法を提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光照射 ,  最適化 ,  *ナノロッド ,  スペクトロスコピー ,  電流密度 ,  前駆体 ,  リン酸塩 ,  ガラス ,  スピンコーティング ,  光触媒 ,  硫酸ナトリウム ,  電解質
準シソーラス用語： FTO【酸化物】 ,  バナジン酸ビスマス ,  *シード層 ,  *ナノロッドアレイ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： バナジウム酸ビスマス ,  電気化学インピーダンス分光法 ,  ナノロッド ,  シード層 ,  水の酸化

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光電気化学 ,  水酸化 ,  単斜晶系 ,  ナノロッドアレイ ,  成長 ,  シード層