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J-GLOBAL ID：201802258208860249   整理番号：18A1616944

La,Pr,SmドープZ型ストロンチウムのマルチフェロイック性【JST・京大機械翻訳】

Multiferroicity in La, Pr & Sm doped Z-type strontium hexaferrite

著者 (2件)： Kumar Pawan (Department of Physics, National Institute of Technology, Kurukshetra-136119, India) ,  Gaur Anurag (Department of Physics, National Institute of Technology, Kurukshetra-136119, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 120  ページ： 305-312  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 純粋および希土類元素(RE=La,Pr,Sm)をドープしたSr_2.9Re_0.1Co_2Fe_24O_41Z型ストロンチウムヘキサフェライトを,ゾル-ゲル自動燃焼法により合成した。構造的,強誘電的,磁気的及び電気的性質に及ぼすRE元素のドーピング効果を,X線回折計,分極対電場(P-E)ループトレーサ,SQUID振動試料磁力計及びBiology SP-240ポテンシオスタットを用いて調べた。Fourier変換赤外分光法(FTIR)法を用いて,調製した試料の結合伸縮を試験した。最大飽和分極値0.019,0.042および0.061μC/cm2が,それぞれ10,20および30kV/cmの磁場でPrドープ試料に対して観察された。磁気測定はLaドープ試料で最大保磁力(128Oe)を示したが,Smドープ試料では最大飽和磁化(67emu/g)が得られた。複素インピーダンスプロットは,2.59μΩバルク抵抗をもつLaドープZ型ヘキサフェライト試料に対する大きなインピーダンスを明らかにした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 飽和磁化 ,  保磁力 ,  磁気 ,  *プラセオジム ,  *サマリウム ,  強磁性 ,  *ドーピング ,  電場 ,  インピーダンス ,  分極 ,  FTIR分光法 ,  *ランタン
準シソーラス用語： ヘキサフェライト ,  複素インピーダンス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Z型ヘキサフェライト ,  強誘電体 ,  強磁性 ,  電気的性質

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： La ,  Pr ,  Sm ,  ドープ ,  ストロンチウム ,  マルチフェロイック