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J-GLOBAL ID：201802258418409867   整理番号：18A1921260

太陽電池用のバイパスダイオードに低損失型自己バイアスチャネルダイオードを用いた電気的特性の検討

著者 (1件)： 工藤嗣友 (神奈川工科大)
資料名： 神奈川工科大学先進太陽エネルギー利用研究所研究報告(CD-ROM)
号： 11  ページ： 15-18  発行年： 2017年 
JST資料番号： L7104B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・従来は,太陽電池パネルに影が入ること等による太陽光発電の不具合を回避するために,太陽電池と組み合わせて,バイパスダイオードとしてCr-ショットキーバリアダイオード(Cr-SBD)を使用。
・周辺の温度が上昇するとSBDの逆方向リーク電流が増加し,太陽電池の発電効率を劣化。
・本研究の目的は,SBDと同等,もしくはそれ以下を可能とした低オン電圧化と高温時における逆方向リーク電流の抑制を可能としたバイパスダイオードの開発。
・本研究では,二重拡散MOSFET(DMOSFET)構造を有し,自己バイアスにより2端子化を図った自己バイアスチャネルダイオード(SBCD:Self-Biased Channel Diode)を提案。
・Cr-SBDと比較して,SBCDのオン電圧値は小さく,またリーク電流が抑えられていることを確認。
・SBCDは100°C以上でも熱暴走を起こしていないことが確認され,SBDよりも熱耐圧に強いことから太陽電池のバイパスダイオードとして,特に夏場の温度が高い環境でも発電効率の劣化を抑える効果が期待。
・さらに,太陽電池に関する過渡応答シミュレーションを実施し,SBCDは応答特性がCr-SBDよりも優れていることを確認。

シソーラス用語： *太陽光発電 ,  *ダイオード ,  損失 ,  *バイアス ,  電気的性質 ,  Schottky障壁ダイオード ,  *電圧 ,  高温 ,  逆方向 ,  *漏れ電流 ,  *MOSFET ,  *拡散 ,  *耐熱性 ,  影効果 ,  過渡応答 ,  エネルギー変換効率
準シソーラス用語： *太陽電池パネル ,  *バイパスダイオード ,  低損失 ,  *自己バイアスチャネルダイオード ,  *自己バイアス ,  *ターンオン電圧 ,  *二重拡散 ,  熱暴走 ,  陰影効果 ,  発電効率

分類 (1件)： 太陽光発電  (NB03090G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 太陽電池 ,  バイパスダイオード ,  低損失 ,  自己バイアス ,  チャネル ,  ダイオード ,  電気的特性