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J-GLOBAL ID：201802258423630643   整理番号：18A0937617

x=0.75と1.0の(Ag_xCu_1-x)(In_0.75Ga_0.25)Se_2の反応経路解析【JST・京大機械翻訳】

Reaction pathway analysis of (Ag_xCu_1-x)(In_0.75Ga_0.25)Se₂ with x = 0.75 and 1.0

著者 (4件)： Soltanmohammad Sina (Department of Materials Science & Engineering, University of Delaware, 201 Du Pont Hall, Newark, DE 19716, USA) ,  Soltanmohammad Sina (Institute of Energy Conversion, University of Delaware, 451 Wyoming Road, Newark, DE 19716, USA) ,  Shafarman William N. (Department of Materials Science & Engineering, University of Delaware, 201 Du Pont Hall, Newark, DE 19716, USA) ,  Shafarman William N. (Institute of Energy Conversion, University of Delaware, 451 Wyoming Road, Newark, DE 19716, USA)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 182  ページ： 142-157  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ag(In_0.75Ga_0.25)Se_2膜の形成の間の反応経路を,5%Ar/H_2Se雰囲気下で450°Cでの急速熱処理を用いた時間進行反応のex-situキャラクタリゼーションによって研究した。エネルギー分散X線分光法(EDS)とX線蛍光(XRF)を用いた組成測定は,Ag/(Ag+Cu)=1.0で,Ga等級づけとSe取り込みが徐々に20分まで起こることを示した。7分の反応により,AgInSe_2相の兆候はなく,Ag(In,Ga)_5Se_8カルコゲン化物相のみが形成された。反応は20分以内にAg(In,Ga)Se_2とAg(In,Ga)_5Se_8の形成で完了した。前駆体へのCuの添加は,Ag/(Ag+Cu)=0.75が反応を加速し,Ag(In,Ga)_5Se_8相の形成を減少させる。EDSとXRF分析は,Ga等級づけとSe取り込みが10分後に完了したことを示した。XRD分析はまた,他のカルコゲナイド形成に先立ち3.5分の反応後にCuを含む試料の表面上にCuInSe_2が形成されることを示した。一方,強いAg(In,Ga)Se_2(112)XRDピークは100%Ag膜に対する10分反応と比較して5分反応後に現れた。基板からの剥離後の膜の裏面におけるEDSおよびRaman散乱測定は,Gaが45分反応後に膜の裏面にAgGaSe_2およびGa-Se相に蓄積することを示した。XRD分析は,AgがAg/(Ag+Cu)=1.0との反応の間に安定なζ-Ag_3(In,Ga)相に留まる傾向があるが,0.75とはそうではなく,これがより長い反応時間と不均一性を引き起こすことを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 反応時間 ,  Raman散乱 ,  RTA【熱処理】 ,  *反応経路 ,  *銅 ,  蛍光 ,  *セレン ,  前駆体 ,  *銀 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  キャラクタリゼーション ,  カルコゲン化物 ,  不均一性 ,  *ガリウム ,  X線回折

著者キーワード (4件)： Ag(Ga)Se_2 ,  セレン化 ,  反応経路 ,  太陽光発電材料

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： 反応経路 ,  解析