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J-GLOBAL ID：201802258610569526   整理番号：18A0969482

広い量子井戸中に生成した二層電子系における個々の層の特性評価【JST・京大機械翻訳】

Characterization of individual layers in a bilayer electron system produced in a wide quantum well

著者 (6件)： Dorozhkin S. I. (Institute of Solid State Physics RAS, Moscow District, 142432 Chernogolovka, Russia) ,  Kapustin A. A. (Institute of Solid State Physics RAS, Moscow District, 142432 Chernogolovka, Russia) ,  Fedorov I. B. (Institute of Solid State Physics RAS, Moscow District, 142432 Chernogolovka, Russia) ,  Umansky V. (Department of Physics, Weizmann Institute of Science, 76100 Rehovot, Israel) ,  von Klitzing K. (Max-Planck-Institut fuer Festkorperforschung, Heisenbergstrasse 1, D-70569 Stuttgart, Germany) ,  Smet J. H. (Max-Planck-Institut fuer Festkorperforschung, Heisenbergstrasse 1, D-70569 Stuttgart, Germany)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 8  ページ： 084301-084301-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,広い量子井戸中に形成され,それらの電子密度を決定するために,二重層電子系における個々の層を特性化するための透明な方法について報告する。この技術は電子系と井戸の両側に位置するゲート間のキャパシタンスの同時測定に依存する。第二サブバンドのポピュレーションによる電子波動関数の修正により,付加的な電子層の出現が検出できる。これらの静電容量の磁場依存性は,最近接電子層におけるLandau準位の占有に起因する量子補正によって支配される。この技術は二重層電子システムの他の実装に等しく適用できる。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  同時計測 ,  *電子系 ,  *量子井戸 ,  静電容量 ,  電子密度 ,  Landau準位 ,  量子補正 ,  波動関数 ,  電子装置
準シソーラス用語： 磁場依存性 ,  サブバンド ,  二重層 ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 量子井戸 ,  二層 ,  電子系 ,  層 ,  特性評価