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J-GLOBAL ID：201802258818265532   整理番号：18A0843902

CZTS Ketsterite太陽電池の効率向上に及ぼすCZTSE BSFと少数キャリア寿命時間の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of CZTSe BSF and minority carrier life time on the efficiency enhancement of CZTS kesterite solar cell

著者 (10件)： Khattak Yousaf Hameed (Escuela de Ingenieria de Diseno, Departamento de Fisica Aplicada, Universitat Politecnica de Valencia, Cami de Vera, Spain) ,  Khattak Yousaf Hameed (Department of Electrical Engineering, Federal Urdu University of Arts, Science and Technology, Islamabad, Pakistan) ,  Baig Faisal (Escuela de Ingenieria de Diseno, Departamento de Fisica Aplicada, Universitat Politecnica de Valencia, Cami de Vera, Spain) ,  Baig Faisal (Department of Electrical Engineering, Federal Urdu University of Arts, Science and Technology, Islamabad, Pakistan) ,  Toura Hanae (Escuela de Ingenieria de Diseno, Departamento de Fisica Aplicada, Universitat Politecnica de Valencia, Cami de Vera, Spain) ,  Toura Hanae (Department of Chemistry, Faculty of Sciences, University Ibn Tofail, Kenitra, Morocco) ,  Ullah Shafi (Escuela de Ingenieria de Diseno, Departamento de Fisica Aplicada, Universitat Politecnica de Valencia, Cami de Vera, Spain) ,  Mari Bernabe (Escuela de Ingenieria de Diseno, Departamento de Fisica Aplicada, Universitat Politecnica de Valencia, Cami de Vera, Spain) ,  Beg Saira (Department of Computer Science, COMSATS Institute of Information Technology, Islamabad, Pakistan) ,  Ullah Hanif (Department of Electrical Engineering, Federal Urdu University of Arts, Science and Technology, Islamabad, Pakistan)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 18  号： 6  ページ： 633-641  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu2ZnSnS4(CZTS)は,非毒性の地球に富む物質であり,kesterite対称構造を持つグループI-IV-VIの有望な第四半導体化合物である。その最適な直接バンドギャップにより,光起電力太陽電池応用のための吸収体層に適した材料と考えられている。本論文は,バック表面場(BSF)層としてCZTSeを適用することによって,実験的に設計したCZTS太陽電池の数値モデリングを提示した。本研究では,SCAPSソフトウェアにおいて実験的に設計したCZTS太陽電池の結果を再現した。シミュレーション結果を検証し,実際の実験結果と比較した。最適化されたデバイスのセルパラメータ変換効率の最適化は,6.42%(CZTS厚さ0.8μm)まで増加した。さらなる最適化とCZTSe BSF層変換効率の適用は,12.92%まで増加した。提案したセルによる1.5AM照明条件下で,短絡電流(Jsc)27.41mA/cm2,開回路電圧(Voc)744.4mV,曲線因子(FF)63.35%,全面積変換効率12.92%を達成した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  吸収体 ,  *効率化 ,  対称性 ,  *太陽電池 ,  短絡電流 ,  光起電力 ,  シミュレーション ,  ソフトウェア ,  数値解析 ,  最適化
準シソーラス用語： 曲線因子 ,  開回路電圧 ,  変換効率 ,  *CZTS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 数値解析 ,  SCAPS ,  CZTS ,  CZTSE ,  裏面場 ,  ケステライト ,  太陽電池 ,  キャリアライフタイム

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： CZTS ,  太陽電池 ,  効率向上 ,  BSF ,  少数キャリア寿命