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J-GLOBAL ID：201802258871233074   整理番号：18A1028656

Sキンク歪電流電圧曲線を評価するための電子回路モデル【JST・京大機械翻訳】

Electronic circuit model for evaluating S-kink distorted current-voltage curves

著者 (3件)： Roland Paul J. (Wright Center for Photovoltaic Innovation and Commercialization, Department of Physics and Astronomy, School for Solar and Advanced Renewable Energy, The University of Toledo, 2801 W. Bancroft, Toledo, OH 43606) ,  Bhandari Khagendra P. (Wright Center for Photovoltaic Innovation and Commercialization, Department of Physics and Astronomy, School for Solar and Advanced Renewable Energy, The University of Toledo, 2801 W. Bancroft, Toledo, OH 43606) ,  Ellingson Randy J. (Wright Center for Photovoltaic Innovation and Commercialization, Department of Physics and Astronomy, School for Solar and Advanced Renewable Energy, The University of Toledo, 2801 W. Bancroft, Toledo, OH 43606)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： いわゆるS-キンク電流対電圧(J-V)曲線は,多くの異なる材料と構造に基づく太陽電池について報告されているが,有機材料,CIGSとCdTeを含むカルコゲン化物,不動態化c-Siヘテロ接合素子に基づく素子に限定されていない。報告は,一つあるいは二つの接触における非理想的エネルギーオフセットの存在に対する挙動を頻繁に示している。主p-nヘテロ接合ダイオードと直列に反平行ダイオード対がV_OC近傍の電圧バイアス値で電流を制限するのに役立つ修正ダイオード回路設計の使用を通してS-キンク挙動をモデル化する方法を報告した。このモデルは,S-キンク挙動を示すJ-Vプロットからダイオードパラメータを抽出する手段を提供する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バイアス ,  ダイオード ,  *モデル ,  太陽電池 ,  不動態化 ,  有機材料 ,  *電子回路 ,  *電流 ,  *キンク ,  テルル化カドミウム ,  モデリング ,  回路設計 ,  *電圧 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  セレン化ガリウムインジウム銅 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： キンク ,  歪 ,  評価 ,  電子回路 ,  モデル