文献

J-GLOBAL ID：201802258949129978   整理番号：18A1934416

Si(100)上の表面状態の原子価-Mending不動態化による除去【JST・京大機械翻訳】

Removal of surface states on Si(1 0 0) by valence-mending passivation

著者 (1件)： Tao Meng (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, AZ 85287-5706, USA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 462  ページ： 8-17  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面状態は,John Bardeen時代にさかのぼる半導体技術における古典的な障害である。著者らは,表面状態を除去するために,一般的アプローチ,すなわち,価電子化不動態化を提案した。本論文では,Si(100)表面の価電子化不動態化をレビューした。これはSi(100)上にカルコゲン原子の単分子層を堆積させることにより達成される。原子的に清浄な表面を調製し,Si(100)上にカルコゲン原子の自己制限単分子層を堆積する方法を,分子線エピタクシー,溶液不動態化,および化学蒸着において開発した。不動態化表面は三次元バルク半導体の非典型的な電気的及び化学的性質を示した。種々の金属に対するSchottky障壁高さは,現在,価電子化Si(100)上のMott-Schottky理論に従っている。非常に低い仕事関数と非常に高い仕事関数の金属は,不動態化表面上に記録的に高く記録された低いSchottky障壁を生成する。記録された高障壁は,Siのバンドギャップを超えるAl/硫黄不動態化p型Si(100)接合に対して1.14eVであることを実証した。記録低障壁はAl/硫黄不動態化n型Si(100)接合に対して0.08eVより低く,障壁は-0.02eVにおいて負である可能性がある。これらの記録Schottky障壁はアニーリングにより500°Cまでの良好な熱安定性を示した。価電子化不動態化の潜在的応用が含まれる。(1)強誘電体と軽ドープ半導体の両方に対するOhm接触への新しいアプローチ,(2)Schottky接合とp-n接合の中間の新しいダイオード,(3)オプトエレクトロニクスと光起電力における表面と結晶粒界再結合の抑制,(4)二次元材料のvan der Waalsエピタクシーの理想的基板。極端に低い及び負のSchottky障壁を特性化する現在の方法の限界を概説した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 価電子 ,  ドーピング ,  熱安定性 ,  Schottky障壁 ,  焼なまし ,  *ケイ素 ,  単分子層 ,  キャラクタリゼーション ,  バンドギャップ ,  アルミニウム ,  化学蒸着 ,  *不動態化 ,  硫黄 ,  オプトエレクトロニクス ,  仕事関数 ,  半導体

著者キーワード (9件)： シリコン(10)表面 ,  表面状態 ,  ダングリングボンド ,  硫黄 ,  セレン ,  表面不動態化 ,  Schottky障壁 ,  金属/シリコン接合 ,  二次元材料

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  原子価 ,  不動態化