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J-GLOBAL ID：201802258980026985   整理番号：18A1025484

Ti/TiB系における一般的に観測された平面欠陥の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

A first principles study of commonly observed planar defects in Ti/TiB system

著者 (4件)： Nandwana Peeyush (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, USA) ,  Gupta Niraj (Department of Materials Science and Engineering, University of North Texas, Denton, TX, USA) ,  Srinivasan Srivilliputhur G. (Department of Materials Science and Engineering, University of North Texas, Denton, TX, USA) ,  Banerjee Rajarshi (Department of Materials Science and Engineering, University of North Texas, Denton, TX, USA)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 150  ページ： 197-201  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiBは(100)面上に成長欠陥を持つ六方晶系断面を示し,B27-B_f双結晶を含む。六方晶系断面は表面自由エネルギー最小化原理によって説明される。界面エネルギー計算は(101)型ファセットと比較して長い(100)ファセットを説明するが,自由表面エネルギー議論は真の描像を提供しないことを示した。TiBにおける積層欠陥とB27-B_f界面の定量的説明は存在しない。積層欠陥とB27-B_f界面の低い形成エネルギーがそれらの存在量を説明することを示した。B_f形成の低エネルギー障壁はTiB中のそれらの存在の原因であることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  積層欠陥 ,  表面エネルギー ,  双結晶 ,  *第一原理 ,  ファセット ,  自由表面 ,  六方晶系
準シソーラス用語： エネルギー障壁 ,  形成エネルギー ,  表面自由エネルギー ,  *面欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： チタン ,  ホウ化チタン ,  界面 ,  DFT ,  NEB

分類 (2件)： その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ti ,  TIB ,  観測 ,  平面欠陥 ,  第一原理 ,  研究