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J-GLOBAL ID：201802259041329326   整理番号：18A0240737

滑り帯電ゲートTribotronicトランジスタと論理素子の理論的研究【Powered by NICT】

Theoretical Study of Sliding-Electrification-Gated Tribotronic Transistors and Logic Device

著者 (13件)： Jiang Tao (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Jiang Tao (CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology (NCNST), Beijing, 100190, China) ,  Zhang Limin (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Zhang Limin (CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology (NCNST), Beijing, 100190, China) ,  Zhang Xu (Key Laboratory of Design and Assembly of Functional Nanostructures, Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fuzhou, 350002, China) ,  Zhang Chi (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Zhang Chi (CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology (NCNST), Beijing, 100190, China) ,  Peng Wenbo (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA) ,  Xiao Tianxiao (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Xiao Tianxiao (CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology (NCNST), Beijing, 100190, China) ,  Wang Zhong Lin (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Wang Zhong Lin (CAS Center for Excellence in Nanoscience, National Center for Nanoscience and Technology (NCNST), Beijing, 100190, China) ,  Wang Zhong Lin (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 4  号： 1  ページ： ROMBUNNO.201700337  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 摩擦電気ナノ発電機(TENG)は,収穫環境からの機械的エネルギーのための高度に有効な技術として発明した。TENG及び金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタを結合させることにより,半導体における電荷キャリア輸送を調整/制御するためのゲート電圧としてトライボトロニクスの新しい分野が最近摩擦帯電によって生成された静電ポテンシャルを用いて提案した。本研究では,滑り帯電ゲートトライボトロニクストランジスタ(SGT)と滑り帯電ゲートトライボトロニクス論理素子(SGL)の性能を理論的に調べた。NチャネルSGTとPチャネルSGTの両方のためのドレイン-ソース電流特性がエンハンスメント及びデプレッションモードでそれぞれ計算した,これは摩擦帯電量,滑り距離,ドレイン電圧によって制御されることが分かった。伝導チャネル長を縮小することにより,10nmに,SGTは同様の電流特性と電荷移動過程をと示し,大規模アレイ統合におけるトライボトロニクスの大きな可能性を示した。,増強モードで二NチャネルSGTに基づいて設計されたSGLの動作原理を明らかにした。トライボトロニクスの潜在的応用のためのトライボトロニクスデバイスと設計指針の物理的機構の詳細な理解を提供することができた。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  半導体 ,  *帯電 ,  摩擦電気 ,  *滑り帯 ,  FET【トランジスタ】 ,  酸化物 ,  *トランジスタ ,  チャネル ,  *論理素子 ,  電荷移動
準シソーラス用語： チャネル長 ,  静電ポテンシャル ,  摩擦帯電 ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電界効果トランジスタ ,  論理素子 ,  滑り帯電ゲート素子 ,  摩擦電気ナノ発電機 ,  tribotronics

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  エネルギー変換装置  (LC01020U) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 滑り ,  帯電 ,  ゲート ,  トランジスタ ,  論理素子 ,  理論 ,  研究