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J-GLOBAL ID：201802259113251219   整理番号：18A1724163

磁場誘起ゲートホスホレンにおける方向依存電子相転移【JST・京大機械翻訳】

Direction-dependent electronic phase transition in magnetic field-induced gated phosphorene

著者 (2件)： Bui H.D. (Institute of Research and Development, Duy Tan University, 03 Quang Trung, Danang, Viet Nam) ,  Yarmohammadi Mohsen (Lehrstuhl fuer Theoretische Physik I, Technische Universitaet Dortmund, Otto-Hahn Strasse 4, 44221 Dortmund, Germany)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 465  ページ： 646-650  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層黒リン(BP)における電子相転移の詳細な物理的意味を,局所ゲート電圧とZeeman磁場の存在下で調べた。この転移の主な特徴はFermi準位近傍の電子状態密度(DOS)を通して特徴付けられる。数値計算を,強束縛モデルとGreen関数法の連続体近似内で行った。BPの異方性結晶構造はDOSの各成分に異なる挙動を引き起こす。最初に,Zeeman効果,すなわちVan Hove特異性の分裂を確認した。次に,著者らの結果は,x方向に沿ったホスホレンの電子バンドギャップが,ゲート電圧が存在しないとき,弱い磁場で減少し,系が強い領域で半金属相に移行するが,y方向に沿って相転移がないことを示した。興味深いことに,ゲート上の回転,方向に依存しない相転移は,弱い磁場と強い磁場の両方で起こらない。もう一つの注目すべき点は,両方向におけるゲート電圧によるバンドギャップの増加を意味し,強磁場におけるx方向に沿った半金属-半導体転移をもたらす。ゲート電圧と磁場によるバンドギャップの同調は,BPの将来の応用に有用である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  Fermi準位 ,  Zeeman効果 ,  *相転移 ,  近似法 ,  強磁場 ,  結晶構造 ,  単一層 ,  バンドギャップ ,  異方性 ,  半金属 ,  *磁場
準シソーラス用語： 強束縛モデル ,  ゲート電圧 ,  *フォスフォレン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 磁場 ,  電子相転移 ,  状態密度 ,  Fermiエネルギー ,  黒リン ,  ゲート電圧

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  有機化合物の磁性  (BM06070A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁場誘起 ,  ゲート ,  ホスホレン ,  電子相転移