文献

J-GLOBAL ID：201802259114843953   整理番号：18A1259399

9/15GHzデュアルバンドGaNモノリシック電力増幅器【JST・京大機械翻訳】

9/15GHz dual-band GaN monolithic power amplifier

著者 (2件)： Wang Jiawen (Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016 China) ,  Tao Hongqi (Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016 China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IWS  ページ： 1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,SiC HEMTプロセスにおける南京電子デバイス研究所(NEDI)の0.25μm GaNに実装された9/15GHzデュアルバンドモノリシック電力増幅器の設計と測定について述べた。2つの第二高調波制御ブランチを,電力増幅器の効率を増加させるために,段間整合ネットワーク(ISMN)の設計に採用した。大信号測定は,パルスモードで9GHzと15GHzでそれぞれ42dBmと41.8dBmの飽和出力パワーと40%と35%の電力付加効率(PAE)を示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ネットワーク ,  炭化ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  電力付加効率 ,  HEMT ,  *電力増幅器
準シソーラス用語： 大信号 ,  第二高調波 ,  電子素子 ,  *デュアルバンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (3件)： デュアルバンド ,  GaN ,  電力増幅器