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J-GLOBAL ID：201802259166588892   整理番号：18A0920942

外部DCバイアス場によるPZTセラミックの高出力特性の改善【JST・京大機械翻訳】

Improving high-power properties of PZT ceramics by external DC bias field

著者 (6件)： Bansal Anushka (International Center for Actuators and Transducers, The Pennsylvania State University, State College, Pennsylvania) ,  Shekhani Husain N. (Kulicke & Soffa Industries, Santa Ana, California) ,  Majzoubi Maryam (International Center for Actuators and Transducers, The Pennsylvania State University, State College, Pennsylvania) ,  Hennig Eberhard (R&D Department, PI Ceramic GmbH, Lederhose, Germany) ,  Scholehwar Timo (R&D Department, PI Ceramic GmbH, Lederhose, Germany) ,  Uchino Kenji (International Center for Actuators and Transducers, The Pennsylvania State University, State College, Pennsylvania)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 101  号： 7  ページ： 3044-3053  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,高出力の下で操作されるときの機械的品質因子Q_mの劣化が,外部的に正のDCバイアス場を適用することによって回復することができると結論づけた。圧電セラミックの材料定数は一般的に低電力条件下で特性化される。しかしながら,高出力特性は,低電力条件(Q_mが約2倍低下)下で測定されたものから著しく逸脱する。DCバイアス場は,高出力条件下でセラミックの特性を回復するのに役立つ。200V/mmのDCバイアス場は,0.1m/sの振動速度に対して,ほぼ等価な「逆」変化率を示した。また,圧電損失tanθ′は,正DCバイアス場(ハードPZTに対して100V/mm当たり1.9%,ソフトPZTに対して100V/mm当たり3.1%)の下で,弾性または誘電損失と比較して,最も効果的に減少できることも注目に値する。本報告では,k_31共鳴モード(横方向伸張)における外部印加DCバイアス場下でのハードおよびソフトLead Zirconate Titanate(PZT)の低および高出力圧電特性に関する包括的解析を提示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 延伸 ,  弾性 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *バイアス ,  キャラクタリゼーション ,  誘電損失 ,  *セラミック ,  圧電セラミック ,  圧電気
準シソーラス用語： 圧電特性 ,  振動速度 ,  材料定数 ,  品質因子 ,  *高出力 ,  *出力特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： バースト駆動法 ,  連続アドミタンススペクトル ,  DCバイアス場 ,  高出力 ,  圧電体における損失 ,  振動速度

分類 (3件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： DC ,  PZT ,  セラミック ,  出力特性