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J-GLOBAL ID：201802259345120252   整理番号：18A0968456

バイアスしたシリコン結晶検出器における単一E-H対の熱検出【JST・京大機械翻訳】

Thermal detection of single e-h pairs in a biased silicon crystal detector

著者 (14件)： Romani R. K. (Department of Physics, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Brink P. L. (SLAC National Accelerator Laboratory/Kavli Institute for Particle Astrophysics and Cosmology, 2575 Sand Hill Road, Menlo Park, California 94025, USA) ,  Cabrera B. (Department of Physics, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Cherry M. (SLAC National Accelerator Laboratory/Kavli Institute for Particle Astrophysics and Cosmology, 2575 Sand Hill Road, Menlo Park, California 94025, USA) ,  Howarth T. (Department of Physics, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Kurinsky N. (Department of Physics, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Moffatt R. A. (Department of Physics, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Partridge R. (SLAC National Accelerator Laboratory/Kavli Institute for Particle Astrophysics and Cosmology, 2575 Sand Hill Road, Menlo Park, California 94025, USA) ,  Ponce F. (Department of Physics, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Pyle M. (Department of Physics, University of California, Berkeley, California 94720, USA) ,  Tomada A. (SLAC National Accelerator Laboratory/Kavli Institute for Particle Astrophysics and Cosmology, 2575 Sand Hill Road, Menlo Park, California 94025, USA) ,  Yellin S. (Department of Physics, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Yen J. J. (Department of Physics, Stanford University, Stanford, California 94305, USA) ,  Young B. A. (Department of Physics, Santa Clara University, Santa Clara, California 95053, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 4  ページ： 043501-043501-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 個々の電子-正孔対が~35mKで動作する4mm厚のシリコン結晶(0.93g)により1cm~2で分解されることを実証した。検出器の片側を二つの準粒子トラップ支援電熱フィードバック遷移端センサアレイでパターン化した。他の側は20%被覆率のバイアスグリッドを含む。ここで報告した研究では,±160Vまでのバイアス電位を用いた。ファイバ光学は,格子近傍の結晶中に電子-正孔(e-h+)対を生成する650nm(1.9eV)光子を与える。ドリフト電荷のエネルギーをフォノンセンサ雑音σ~0.09e-h+対で測定した。観測された電荷量子化は,結晶を横切って輸送されたh+sまたはe-sに対してほぼ同一である。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドリフト ,  繊維光学 ,  量子化 ,  被覆率 ,  *結晶 ,  電子正孔対 ,  *バイアス ,  正孔 ,  雑音 ,  パターン形成 ,  光子 ,  *検出器 ,  電荷 ,  準粒子
準シソーラス用語： *結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコン結晶 ,  検出器