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J-GLOBAL ID：201802259349890628   整理番号：18A1588357

多孔質シリコン形成に先立つガリウムインジウム共晶マスキングは独特の空間依存化学を創る【JST・京大機械翻訳】

Gallium indium eutectic masking prior to porous silicon formation creates unique spatially-dependent chemistries

著者 (5件)： Collado Crystal M. (Department of Chemistry, Natural Sciences Complex, University at Buffalo, The State University of New York, Buffalo, NY 14260-3000, USA) ,  Horner Ian J. (PeroxyChem, 78 Sawyer Ave, Tonawanda, NY 14150, USA) ,  Empey Jennifer M. (Department of Chemistry and Biochemistry, The Ohio State University, Newman & Wolfrom Lab, Columbus, OH 43210-1340, USA) ,  Nguyen Lisa N.Q. (Department of Chemistry and Biochemistry, The Ohio State University, Newman & Wolfrom Lab, Columbus, OH 43210-1340, USA) ,  Bright Frank V. (Department of Chemistry, Natural Sciences Complex, University at Buffalo, The State University of New York, Buffalo, NY 14260-3000, USA)
資料名： Analytica Chimica Acta  (Analytica Chimica Acta)
巻： 1032  ページ： 147-153  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0394A  ISSN： 0003-2670  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガリウムインジウム(GaIn)共晶を用いて,独特の分析および空間依存性光ルミネセンス(PL)応答を示す興味深い結晶性Si/多孔質シリコン(cSi/pSi)プラットフォームを作製できることを実証した。ここでは,形状測定,走査電子顕微鏡(SEM),広視野PL顕微鏡,Fourier変換赤外(FTIR)顕微鏡を用いて,これらのcSi/pSi領域を特性化した。cSi/pSi界面から「バルク」pSiへのベクトルに沿って移動する。(i)分析依存性,PLベース応答は最初に増加し,次に減少する;(ii)分析物不在下での全PL発光強度は増加する;(iii)pSi厚さは増加した。(iv)Si-Hバンド振幅比に対する相対的O_2Si-Hは減少した。したがって,分析依存PL応答の大きさは,pSiの酸化の程度と相関している。これは,pSi作製プロセスの間にマスクとしてGaIn共晶を用いることにより容易に制御できる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,  *ガリウム ,  界面 ,  赤外線 ,  *マスキング ,  ベクトル ,  キャラクタリゼーション ,  *インジウム ,  *共晶 ,  顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  FTIR分光法 ,  *多孔質シリコン ,  Fourier変換
準シソーラス用語： 発光強度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ガリウムインジウム共晶 ,  ガス分析物の応答 ,  多孔質シリコン ,  空間依存化学 ,  空間依存応答

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多孔質シリコン ,  ガリウム ,  インジウム ,  共晶 ,  マスキング ,  化学