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J-GLOBAL ID：201802259413055524   整理番号：18A2052435

新しい単結晶材料開発の試み 赤外センサ用Mg₂Si結晶の融液成長

Melt growth of Mg₂Si crystals for IR detectors

著者 (1件)： 鵜殿治彦 (茨城大 大学院)
資料名： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
巻： 45  号： 3  ページ： ROMBUNNO.45-3-03  発行年： 2018年10月 
JST資料番号： F0452C  ISSN： 2188-7268  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 熱分解グラファイト(PG)るつぼと高純度Mg(5Nまたは6N以上)とSi(10N級)原料金属を用いて,垂直Bridgman成長法により高純度n型Mg₂Si単結晶を成長させた。成長した結晶の飽和電子濃度とHall移動度は室温で(1~2)×10¹⁵cm^-3と480~485cm²/Vsであった。結晶から調製したMg₂Si基板は,pn接合フォトダイオード(PD)を作製するのに十分な結晶品質を有していた。Agの急速熱拡散と従来のリフトオフ過程により作製したリング電極型,pn接合PDは,波長2μm以下で良好な光応答を示した。1×10¹²12cmHz^1/2/Wの検出感度D^*を,77Kでの1.31μmレーザダイオード(LD)照射下でのPDにより達成した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  化合物半導体 ,  *Bridgman法 ,  単結晶 ,  *Hall移動度 ,  *電子密度 ,  *フォトダイオード ,  PN接合 ,  電極 ,  *感度 ,  *赤外検出器 ,  ケイ化マグネシウム
準シソーラス用語： 飽和電子密度 ,  リング電極 ,  赤外センサ

分類 (3件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (32件)：

• 1) 三宅 常之: 日経エレクトロニクス 2016.5月号, p.58.
• 2) H.Udono, Y. Yamanaka, M. Uchikoshi, M. Isshiki: J. Phys. Chem. Sol., 74(2013)311-314.
• 3) M. Takezaki, Y. Yamanaka, M. Uchikoshi, H. Udono: Phys. Stat. Sol (c), 10 (2013) 1812-1814.
• 4) K. Daitoku, M. Takezaki, S. Tanigawa, D. Tsuya, and H. Udono: JJAP Conf. Proc. 3 (2015) 011103.
• 5) T Akiyama, N. Hori, S. Tanigawa, D. Tsuya, and H. Udono: JJAP Conf. Proc. 5 (2017) 011102.

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶 ,  材料開発 ,  試み ,  赤外センサ ,  融液成長