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J-GLOBAL ID：201802259556640283   整理番号：18A0488782

薄膜太陽電池応用のためのスパッタ前駆体から作製したCu_2Sn_0 7Si_0 3S_3の物理化学的特性化【Powered by NICT】

Physicochemical characterizations of Cu₂Sn_0.7Si_0.3S₃ made from sputtered precursors for thin film solar cell applications

著者 (4件)： Bodeux Romain (EDF R&D, 30 Route Departementale 128, 91120, Palaiseau, France) ,  Bodeux Romain (Institut Photovoltaieque d’Ile-de-France (IPVF), 30 Route Departementale 128, 91120, Palaiseau, France) ,  Diouf Maiemouna W. (EDF R&D, 30 Route Departementale 128, 91120, Palaiseau, France) ,  Diouf Maiemouna W. (Institut Photovoltaieque d’Ile-de-France (IPVF), 30 Route Departementale 128, 91120, Palaiseau, France)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 741  ページ： 855-860  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2(Sn,Si)S_3は費用効果の高いと薄膜における非毒性吸収体太陽電池素子を得るための有望な材料である。さらにSi/(Sn + Si)比に依存して1.1eV~6.5eVを全体最適範囲で達成できる調整可能なバンドギャップ。Cu Sn Si前駆体から出発した同時スパッタリングアニーリング経路による薄いCu_2(Sn,Si)S_3膜の合成について報告した。膜は密に充填した粒子から成っていた。X線回折とRaman分光法の組み合わせは,単斜晶系構造を持つCu_2Sn_0 7Si_0 3S_3固溶体の形成を確認した。Cu_2SnS_3の存在は,基板近傍の証明されたとCu_2SnS_3とCu_2(Sn,Si)S_3の生成速度によるものであろう。光学的および電気的測定から,Siによる30%Snの置換は0.9eVから1.2eVに増加するバンドギャップをもたらすp型導電性を維持することを示した。これらの結果に基づいて,Cu_2(Sn,Si)S_3化合物は薄膜太陽電池応用に使用される有望な吸収体であると結論した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気測定 ,  吸収体 ,  Raman分光法 ,  *太陽電池 ,  導電性 ,  *ケイ素 ,  *前駆体 ,  焼なまし ,  単斜晶系 ,  固溶体 ,  *薄膜 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 同時スパッタリング ,  *物理化学的性質 ,  *薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 銅けい化物 ,  Cu_2ZnSnS_4 ,  Cu_2ZnSiS_4 ,  Cu_2Zn(SnSi)S_4 ,  ワイドバンドギャップ ,  太陽エネルギー材料

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 薄膜太陽電池 ,  応用 ,  スパッタ ,  前駆体 ,  作製 ,  物理化学的特性