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J-GLOBAL ID：201802259562687856   整理番号：18A0157285

相変化メモリのための非晶質GeTeにおけるWの役割への洞察【Powered by NICT】

Insight into the role of W in amorphous GeTe for phase-change memory

著者 (5件)： Zhang Linchuan (Department of Materials Science and Engineering, College of Materials, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Miao Naihua (School of Materials Science and Engineering, & Center for Integrated Computational Materials Engineering, International Research Institute for Multidisciplinary Science, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Zhou Jian (School of Materials Science and Engineering, & Center for Integrated Computational Materials Engineering, International Research Institute for Multidisciplinary Science, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Mi Jinxiao (Department of Materials Science and Engineering, College of Materials, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Sun Zhimei (School of Materials Science and Engineering, & Center for Integrated Computational Materials Engineering, International Research Institute for Multidisciplinary Science, Beihang University, Beijing 100191, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 738  ページ： 270-276  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeTeは相変化メモリ,最も有望な次世代データ蓄積デバイスの一つの基本的な材料である。Wを持つGeTeドーピングは室温で高温で高い描画(結晶化)速度と長いデータ保持(非晶質安定性),相変化メモリのための重要な課題を克服したを達成した。しかし非晶質GeTeに及ぼすWの影響を原子及び電子スケールでは曖昧なままである。ab initio計算と分子動力学(AIMD)シミュレーションにより,この問題に光を当て,Wは急冷過程で凝集することを明らかにし,化学的に結合したWクラスターはGeTeの全体的な相変化性能を調整する上で重要な役割を果たす。さらに,強いW-Ge及びW Te結合は非晶質GeTeの局所構造と結晶化に重要な影響を示した。本研究では,非晶質相変化材料に及ぼす遷移金属ドーピング効果の理解を進めるための重要な手がかりを提供し,それ故改善された情報貯蔵性能を持つ新しい相変化合金の開発を進めている。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 分子動力学 ,  結晶化 ,  計算機シミュレーション ,  クラスタ ,  急冷 ,  データ蓄積 ,  *非晶質 ,  ドーピング ,  *相転移 ,  遷移金属
準シソーラス用語： 相変化材料 ,  局所構造 ,  第一原理計算 ,  *GeTe ,  *相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 相変化メモリ ,  データ貯蔵材料 ,  原子スケール構造 ,  ab initio分子動力学シミュレーション ,  計算機シミュレーション

分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 相変化メモリ ,  非晶質 ,  GeTe ,  役割 ,  洞察