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J-GLOBAL ID：201802259698395441   整理番号：18A0859921

28nm FD-SOI技術によるRFエネルギーハーベスティング用Dickson整流器の設計【JST・京大機械翻訳】

Design of Dickson rectifier for RF energy harvesting in 28 nm FD-SOI technology

著者 (3件)： Awad M. (The University Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, IMEP-LAHC, 38000 Grenoble, France) ,  Benech P. (The University Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, IMEP-LAHC, 38000 Grenoble, France) ,  Duchamp J-M (The University Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, IMEP-LAHC, 38000 Grenoble, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： EUROSOI-ULIS  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1段Dickson電圧整流器に基づくRF-DCコンバータを28nm FD-SOI技術で研究し実現した。回路の動作制約の解析の後,N-低閾値電圧トランジスタ(NLVT)上で選択を行った。さらに,回路性能に及ぼすバックゲート分極(BGP)効果を解析し,整流器性能を改善する動的BGPを提案した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 変換器 ,  分極 ,  回路特性 ,  電圧 ,  *整流器 ,  トランジスタ
準シソーラス用語： バックゲート ,  *エネルギーハーベスティング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 集積回路一般  (NC03161C) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  論理回路  (NC05070B)

タイトルに関連する用語 (4件)： SOI技術 ,  RFエネルギーハーベスティング ,  整流器 ,  設計