文献
J-GLOBAL ID:201802259747338285   整理番号:18A1028500

NewRCにおけるCIGS薄膜研究開発の最近の進歩【JST・京大機械翻訳】

Recent progress of CIGS thin film R&D at NEWRC
著者 (6件):
資料名:
巻: 2017  号: PVSC  ページ: 1-4  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
物理蒸着(PVD)3段階プロセスを用いて,2系列のCIGS薄膜をモリブデン被覆ソーダ石灰ガラス(SLG/Mo)基板上に堆積した。3段階堆積過程を,基板が線形運動にあるCIGS膜の最初のシリーズの堆積の間に行った。一方,CIGS膜の第二シリーズでは,基板は堆積中に定常に保持された。CIGS膜の構造をθ/2θX線回折(XRD)特性化技術により調べた。一方,膜の化学組成を,波長分散分光計(WDS)と結合した電子プローブマイクロアナライザ(EPMA)により調べた。Auger電子分光計(AES)を,CIGSとMo膜の全厚さを通して化学組成を深さプロファイルに適用した。原子間力顕微鏡(AFM)を用いて,トポグラフィーを調べ,CIGS膜の平均二乗平均(RMS)表面粗さを決定した。装置の製作を完了し,その性能を米国の国家再生エネルギー研究所(NREL)で1000W/m2と25°Cの標準条件下で評価した。最終的に,研究開発研究の進歩は,この研究を通して,この論文では,Abu DhabiのNewRC施設で実施されているCIGS薄膜ベース太陽電池に関するものである。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  太陽電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る