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J-GLOBAL ID：201802259809149737   整理番号：18A0941968

Ge-Sb-Se-Te膜の原子層堆積における化学相互作用とそれらのオボニックしきい値スイッチング挙動【JST・京大機械翻訳】

Chemical interactions in the atomic layer deposition of Ge-Sb-Se-Te films and their ovonic threshold switching behavior

著者 (6件)： Yoo Sijung (Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea. [e-mail] [e-mail]) ,  Yoo Chanyoung ,  Park Eui-Sang ,  Kim Woohyun ,  Lee Yoon Kyeung ,  Hwang Cheol Seong
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 6  号： 18  ページ： 5025-5032  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge-Sb-Se-Te(GSST)四元膜を原子層堆積(ALD)により作製し,その非晶質安定性を確認した。典型的な相変化材料であるSeをSb(OC_2H_5)_3と[(CH_3)_3Si]_2Se前駆体を用いてGe-Sb-Te(GST)膜に組み込んだ。このプロセスは,GeTe_2,Sb_2Te_3,およびSb_2Se_3の化学量論的連星から成る高度に共形の均一膜を生成した。原子組成の詳細な解析により,TeとSe前駆体間の配位子交換反応による膜表面上のSeのTe置換を明らかにした。OTS挙動に関する比較実験とシミュレーション研究は,GeとSeが光学バンドギャップを増加させ,一方Seは局在状態の密度を減少させることを示した。Se含有膜の非晶質安定性は,10~5サイクルまでのOTSデバイスのサイクル耐久性を強化した。厚さと組成に関する適合性と原子レベルの精度は,三次元クロスバー型受動アレイに対する前提条件であり,本研究で示したALDプロセスとOTS性能は,不揮発性高密度メモリにおけるセレクタ素子の構築のための高い潜在的有用性を有する。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *テルル ,  *ゲルマニウム ,  三次元 ,  *相互作用 ,  非晶質 ,  シミュレーション ,  化学量論 ,  比較試験 ,  *スイッチング ,  前駆体 ,  耐久性 ,  記憶装置 ,  局在状態 ,  *セレン
準シソーラス用語： 相変化材料 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 塩  (CD01050V) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  非遷移金属元素の錯体  (CE01030C)

タイトルに関連する用語 (10件)： Ge ,  Sb ,  Se ,  Te ,  原子層堆積 ,  化学 ,  相互作用 ,  しきい値 ,  スイッチング ,  挙動