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J-GLOBAL ID:201802259822406335   整理番号:18A2082768

高熱電性能のためのSnSe_1-xS_x固溶体を超えた微細構造工学【JST・京大機械翻訳】

Microstructure engineering beyond SnSe1-xSx solid solution for high thermoelectric performance
著者 (12件):
資料名:
巻:号:ページ: 321-328  発行年: 2018年 
JST資料番号: W3540A  ISSN: 2352-8478  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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最近,SnSeは有望な環境に優しいIV-VI熱電材料として広く注目されている。ここでは,SnSをNaドープSnSeと合金化し,より良い熱電性能のための熱伝導率を減少させた。以前の報告と一致して,格子定数とバンドギャップはSnSの増加と共に直線的に変化し,SnSe_1-xS_x固溶体の形成を示唆した。しかし,SnSナノ析出が明確に観察され,合金中の相分離を示した。さらに,粒径はSnS量の増加と共に明らかに減少した。第一原理計算は,ナノ析出が小さいx領域におけるSnSe_1-xS_xに対する正の形成エネルギーに起因することを示した。構造工学により,格子熱伝導率はSnSe_1-xS_x試料で大きく減少し,816KでNa_0.03Sn_0.97Se_0.7S_0.3に対して1.35の有望なZTをもたらした。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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熱電デバイス 
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