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J-GLOBAL ID:201802259859061228   整理番号:18A1040737

熱蒸発法によりグラフェン/Si基板上に成長させた垂直に整列したZnOナノワイヤの構造,光学およびガス検知特性【JST・京大機械翻訳】

Structural, optical and gas sensing properties of vertically well-aligned ZnO nanowires grown on graphene/Si substrate by thermal evaporation method
著者 (6件):
資料名:
巻: 141  ページ: 296-317  発行年: 2018年 
JST資料番号: D0448C  ISSN: 1044-5803  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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熱蒸着法によりグラフェンバッファ層を持つSi基板上の高密度ZnOナノワイヤ(NW)アレイの無触媒垂直成長を報告した。ZnO NWの構造,表面形態,化学組成および光学特性を,電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM),高分解能透過型電子顕微鏡(HR-TEM),X線回折(XRD),X線光電子分光法(XPS),Fourier変換赤外分光法(FTIR),光ルミネセンス(PL)およびRaman分光法によって研究した。成長したZnO NWは単結晶で,[0001]方向に沿って優先配向した六方晶系ウルツ鉱型結晶構造を示した。全てのZnO NWはグラフェン/Si基板上に垂直に成長した。成長したNWの大部分は250~300nmの範囲の直径と数十μmまでの長さを有していたが,NWの小さな部分は約9~12nmの直径を有していた。ZnO NWの室温PLスペクトルは380nmで鋭く強い紫外発光を示し,約516nmで弱い可視発光を示した。垂直配列ZnO NWアレイ成長におけるグラフェンバッファ層の役割とその改善された光学特性を実証した。重要なことに,これらのZnO NWに基づくガスセンサは200°CでNO_2ガスに対して高い感度と迅速な応答/回復特性を示し,NO_2濃度を2,6および10ppmと低く検出できた。優れたセンシング性能は,主に,ZnO NWの表面における大きな比表面積と酸素空格子点の存在と,n型ZnO NWとp型グラフェン間のp-nヘテロ接合の生成との組合せに起因する。このようなZnO NW/グラフェン構造は,フォトニック,オプトエレクトロニクスおよびセンサ素子などの様々な応用に対して非常に有望である。さらに,ZnO NW-グラフェン構造の可能な成長機構とNO_2検知ガス機構を議論した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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固体デバイス材料  ,  酸化物薄膜 

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