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J-GLOBAL ID：201802259873228834   整理番号：18A0813811

Siベースフォトダイオード上の原子層堆積TiO_2界面層の光起電力効果【JST・京大機械翻訳】

The photovoltaic impact of atomic layer deposited TiO₂ interfacial layer on Si-based photodiodes

著者 (3件)： Karabulut Abdulkerim (Sinop University, Faculty of Engineering, Department of Electrical and Electronics Engineering, TR-57000 Sinop, Turkey) ,  Orak Ikram (Bingol University, Vocational School of Health Services, TR-12000 Bingol, Turkey) ,  Tueruet Abdulmecit (Istanbul Medeniyet University, Faculty of Engineering and Natural Sciences, Engineering Physics Department, TR-34730 Istanbul, Turkey)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 144  ページ： 39-48  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Al/TiO_2/p-Si構造のフォトダイオードおよびダイオードパラメータに対して,光電流,電流-電圧(I-V)および静電容量/コンダクタンス-電圧-周波数(C/G-V-f)測定を解析した。TiO_2薄膜構造を,原子層蒸着法(ALD)を用いてp-Si上に蒸着し,その厚さは約10nmであった。p-Si構造上に被覆したTiO_2の表面形態を原子間力顕微鏡(AFM)により観察した。素子の障壁高さ(Φ_b)および理想因子(n)値は,それぞれ,暗い,10および100mW/cm2の下で,0.80eV,0.70eV,0.56eVおよび1.04,2.24,10.27であることが分かった。種々の光強度下でのI-V測定から,充填因子(FF),電力効率(%η),開回路電圧(V_oc),短絡電流(I_sc)などのいくつかのフォトダイオードパラメータを得た。FFおよびηは,それぞれ,10および100mW/cm2の光パワー強度下で,49.2,39,0および0.05,0.45であった。C-2-VグラフをC-V-f測定からプロットし,ゼロバイアス電圧(V_0),ドナー濃度(N_d),Fermiエネルギー(E_F),障壁高さ(Φ_b)および最大電場(E_m)を異なる周波数に対してC~-2-Vデータから決定した。電気的および光電流値は,それがフォトダイオード,光検出器および光センシング応用に使用できることを示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 短絡電流 ,  Fermi準位 ,  *フォトダイオード ,  静電容量 ,  原子間力顕微鏡 ,  光電流 ,  電圧 ,  *光起電力効果 ,  周波数 ,  光検出器
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  開回路電圧 ,  理想因子 ,  障壁高さ ,  表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： フォトダイオード ,  TiO_2 ,  原子層堆積 ,  電気的キャラクタリゼーション

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  フォトダイオード ,  原子層堆積 ,  界面層 ,  光起電力効果