文献

J-GLOBAL ID：201802259887140572   整理番号：18A1044884

RF電力増幅器のための新しいSCR ESD保護構造【JST・京大機械翻訳】

A novel SCR ESD protection structure for RF power amplifier

著者 (4件)： Wang Chunguang (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Liu Zexue (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Liu Junhua (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Liao Huailin (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,静電放電(ESD)損傷から高周波(RF)電力増幅器(PA)を保護するための新しいシリコン制御整流器(SCR)構造を提案した。P井戸/N井戸領域の下の埋め込まれたDeep N井戸(DNW)領域の識別された特徴により,新しいSCRは,比較的低いトリガ電圧(13.3V)と高い保持電圧(7V)に関して,従来のSCRより優れていることを実証した。新しいデバイスは,余分なレイアウト面積を必要とせずにSMIC0.18μm RF技術で実現できる。新しい素子構造の動作機構を研究し,SCRのI-V特性に及ぼす追加のDNW領域の影響をTCADシミュレーションにより解析した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流電圧特性 ,  サイリスタ ,  電圧 ,  素子構造 ,  *電力増幅器 ,  シミュレーション ,  HF【周波数】
準シソーラス用語： TCAD ,  静電気放電 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： サイリスタ  (NC03060C) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： RF ,  電力増幅器 ,  SCR ,  ESD保護