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J-GLOBAL ID：201802259924663347   整理番号：18A2107448

HL-LHCでのATLASアップグレードシリコンストリップトラッカーのためのCMOS読出しチップにおける漏れ電流に及ぼすガンマ線照射の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of gamma irradiation on leakage current in CMOS readout chips for the ATLAS upgrade silicon strip tracker at the HL-LHC

著者 (8件)： Stucci Stefania (Physics Department, Brookhaven National Laboratory, Upton, NY, 11973, USA) ,  Rosin Guy (Department of Physics, University of Massachusetts Amherst, MA, 01003-9337, USA) ,  Tricoli Alessro (Physics Department, Brookhaven National Laboratory, Upton, NY, 11973, USA) ,  Lynn David (Physics Department, Brookhaven National Laboratory, Upton, NY, 11973, USA) ,  Kierstead James (Physics Department, Brookhaven National Laboratory, Upton, NY, 11973, USA) ,  Burns Russ (Physics Department, Brookhaven National Laboratory, Upton, NY, 11973, USA) ,  Kuczewski Phil (Physics Department, Brookhaven National Laboratory, Upton, NY, 11973, USA) ,  Nieuwenhuizen Gerrit van (Physics Department, Brookhaven National Laboratory, Upton, NY, 11973, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NSS/MIC  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン化放射線への曝露中にある130nm CMOS技術におけるNMOSトランジスタの漏れ電流の増加は,検出器システムの設計において特別な考慮を必要とし,これが電流と電力消費の大きな増加をもたらす可能性がある。CERN研究所におけるLHCの高ルミノシティ改良のためのATLAS内部トラッカーの改良のための研究開発プログラムの一部として,照射の専用セットをBrookhaven国立研究所で60Coガンマ線源を用いて実施した。他の実験で観測されたように,130nm技術ABC130読出しチップにおけるディジタル漏れ電流の増加を特性化する測定を示した。時間および全電離線量の関数としての電流の変化を,チップに適用した線量率,温度およびパワーのような異なる条件下で調べた。線量率と温度の変化の範囲は,高ルミノシティLHC,すなわち0.6krad-2.5の範囲,-10°と+10°Cの間で期待されるそれらに近いように設定された。試験中のチップのいくつかは,未照射および前照射装置に及ぼす放射線の異なる影響を研究するために,Rutherford Appleton研究所で高線量のX線を前照射した。結果は,電流ピーク値と電流ピーク時間依存性のようなユニークな特徴を示し,温度が電流ピークに達した後に-10°から+10Cに上昇すると電流の変化はなく,照射前チップ上の電流は増加しなかった。これらの結果は,トランジスタと検出器読出しチップにおける放射線損傷の原因となる基礎となる機構の理解のための価値ある情報を提供する。異なる環境条件下での漏れ電流のパラメータ化を試みるモデルとそれらが実験データにどのように適合するかを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ピーク値 ,  時間依存性 ,  *漏れ電流 ,  ナノテクノロジー ,  検出器 ,  *電流 ,  キャラクタリゼーション ,  ディジタル方式 ,  X線 ,  パラメタリゼーション ,  *γ線照射 ,  照射損傷 ,  電離放射線 ,  放射線量
準シソーラス用語： *読出し , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： LHC ,  ATLAS ,  CMOS ,  読出し ,  漏れ電流 ,  ガンマ線照射