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J-GLOBAL ID：201802259984321620   整理番号：18A0167703

界面不動態化層としてNH_3プラズマ処理したZnONを用いたGaAs MOSキャパシタの改良された界面特性【JST・京大機械翻訳】

資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 38  号： 9  ページ： 56-61  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs MOSキャパシタを,高kゲート誘電体としてHfTiONを,界面不動態化層(IPL)としてNH3プラズマ処理したZnONを用いて作製し,その界面と電気的性質を,ZnON IPLと比較し,NH3プラズマ処理なしで,プラズマ処理をしない場合について調べた。実験結果は,中間ギャップ(1.17×1012cm-2eV-1)付近の低い界面状態密度と小さなゲート漏れ電流密度が,HfTiON/ZnON+NH3プラズマ処理の積層ゲート誘電体を持つGaAs MOSデバイスに対して達成されたことを示した。これらの改善は,ZnON IPLが酸素原子の拡散とGaとAs原子の外部拡散を効果的に阻止でき,NH3プラズマ処理がN原子だけでなく,欠陥Ga/As酸化物とAs-Asバンドの除去に非常に有利な高品質のZnON/GaAs界面を与えることに起因する。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヒ素 ,  *ガリウム ,  *コンデンサ ,  *界面 ,  ゲート絶縁膜 ,  *ヒ化ガリウム ,  電気的性質 ,  酸化物 ,  *不動態化 ,  *プラズマ処理 ,  アンモニア
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 ,  界面状態密度 ,  ミッドギャップ ,  *界面特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 界面 ,  不動態化 ,  プラズマ処理 ,  GaAs ,  MOSキャパシタ ,  界面特性