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J-GLOBAL ID：201802259986562723   整理番号：18A2005422

LiドープZnOにおける意図的にドープした水素除去機構【JST・京大機械翻訳】

Unintentionally doped hydrogen removal mechanism in Li doped ZnO

著者 (9件)： Zhu Yanming (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Li Jingyuan (Physics Department, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Ji Xu (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Li Titao (School of Physics, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Jin Mingge (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Ou Xinwen (Physics Department, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Shen Xiaomei (Nanchang Normal University, Nanchang, China) ,  Wang Weiliang (School of Physics, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China) ,  Huang Feng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials, Sun Yat-sen University, Guangzhou, China)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 10  ページ： 105014-105014-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在まで,電子的性質に及ぼすZnO中の意図的にドープされていないHの影響がまだ報告されている。最近,Liの導入がHの安定性を劇的に低下させることが実験で分かった。この現象の背後にある内部物理的機構を明らかにするために,第一原理計算を採用することにより,ドーピングLiの異なる配置を持つZnOにおけるH運動の形成エネルギーとポテンシャル障壁高さを調べた。格子間Li(Li_i)がZnO格子のトラップからのHの脱出を容易にし,静電相互作用によるポテンシャル障壁を減少させることを明らかにした。この方法は他の半導体中の微量元素の安定性を分析するためにも拡張できる。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 微量元素 ,  ポテンシャル障壁 ,  *酸化亜鉛 ,  *ドーピング ,  静電相互作用 ,  半導体 ,  計算 ,  *リチウム
準シソーラス用語： 形成エネルギー ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： Li ,  ドープ ,  ZnO ,  意図 ,  水素