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J-GLOBAL ID：201802260017149402   整理番号：18A0757106

薄膜太陽電池用の相純粋SnS吸収体の速度論的制御成長 SnS/CdSヘテロ接合を用いた長期安定性の3%近傍での効率達成【JST・京大機械翻訳】

Kinetically Controlled Growth of Phase-Pure SnS Absorbers for Thin Film Solar Cells: Achieving Efficiency Near 3% with Long-Term Stability Using an SnS/CdS Heterojunction

著者 (11件)： Lim Dongha (Department of Materials Science and Engineering, and Optoelectronics Convergence Research Center, Chonnam National University, Gwangju, 61186, Republic of Korea) ,  Suh Hoyoung (Center for Electron Microscopy Research, Korea Basic Science Institute, Daejeon, 34133, Republic of Korea) ,  Suryawanshi Mahesh (Department of Materials Science and Engineering, and Optoelectronics Convergence Research Center, Chonnam National University, Gwangju, 61186, Republic of Korea) ,  Song Gwang Yeom (Department of Materials Science and Engineering, and Optoelectronics Convergence Research Center, Chonnam National University, Gwangju, 61186, Republic of Korea) ,  Cho Jae Yu (Department of Materials Science and Engineering, and Optoelectronics Convergence Research Center, Chonnam National University, Gwangju, 61186, Republic of Korea) ,  Kim Jin Hyeok (Department of Materials Science and Engineering, and Optoelectronics Convergence Research Center, Chonnam National University, Gwangju, 61186, Republic of Korea) ,  Jang Jae Hyuck (Center for Electron Microscopy Research, Korea Basic Science Institute, Daejeon, 34133, Republic of Korea) ,  Jeon Chan-Wook (Department of Chemical Engineering and Technology, Yeungnam University, Gyeongsan, Gyeongbuk, 38541, Republic of Korea) ,  Cho Ara (Photovoltaic Laboratory, Korea Institute of Energy Research, Daejeon, 34129, Republic of Korea) ,  Ahn SeJin (Photovoltaic Laboratory, Korea Institute of Energy Research, Daejeon, 34129, Republic of Korea) ,  Heo Jaeyeong (Department of Materials Science and Engineering, and Optoelectronics Convergence Research Center, Chonnam National University, Gwangju, 61186, Republic of Korea)
資料名： Advanced Energy Materials  (Advanced Energy Materials)
巻： 8  号： 10  ページ： e1702605  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2778A  ISSN： 1614-6832  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄い薄膜太陽電池用の有望な将来の吸収体である相純粋な一硫化スズ(SnS)薄膜の形態に対する容易な制御が,調和蒸着したSnSの気相輸送堆積における成長速度を制御することによって可能になる。成長中の圧力はSnS結晶粒の最終形状を修正する重要な因子であることが分かった。最適化された立方体状SnSは,1.32eVの光学的バンドギャップをもつ約10~17cm-3の見かけのキャリア濃度をもつp型を示す。ピンホールの最小化と組み合わせた厚さ1μmのSnSの緻密で平坦な表面形態は,直接的に改善されたダイオード品質をもたらし,SnS/CdSヘテロ接合(0.30cm~2のセル面積)のシャント抵抗を増加させる。3068Vまでの開回路電圧が達成され,これは韓国エネルギー研究所(KIER)で独立に特性化されている。詳細な高分解能透過型電子顕微鏡分析により,SnS結晶粒または粒界におけるSn_2S_3またはSnS_2のような有害な二次相の不在が確認された。98.5%の初期効率レベルは,空気中の6か月の貯蔵後でも維持され,KIEで認証されたチャンピオンSnS/CdSセルの最終効率は,0.2912Vの開回路電圧で,2.938%である。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *硫化カドミウム ,  *ヘテロ接合 ,  結晶粒 ,  バンドギャップ ,  *薄膜 ,  *吸収体 ,  最適化 ,  ピンホール ,  キャリア密度 ,  成長速度
準シソーラス用語： HRTEM ,  開回路電圧 ,  表面形態 ,  硫化スズ ,  *薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 吸収体 ,  形態学 ,  薄膜太陽電池 ,  すずモノスルフィド(SNS) ,  蒸気輸送蒸着

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： 薄膜太陽電池 ,  SNS ,  吸収体 ,  速度論 ,  成長 ,  CdS ,  ヘテロ接合 ,  長期安定性 ,  近傍