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J-GLOBAL ID：201802260026273064   整理番号：18A1813336

ニッケル,窒素ドープルチルTiO_2の電子構造と光学特性のDFT研究【JST・京大機械翻訳】

A DFT study of electronic structures and optical properties of nickel, nitrogen doped rutile TiO₂

著者 (3件)： Li Xin (Institute of New Type Optoelectronic Materials and Technology, College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang, Guizhou 550025, China) ,  Xie Quan (Institute of New Type Optoelectronic Materials and Technology, College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang, Guizhou 550025, China) ,  Tian Zean (Institute of New Type Optoelectronic Materials and Technology, College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University, Guiyang, Guizhou 550025, China)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 710  ページ： 143-146  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理法を用いて,純粋,Nドープ,NiドープおよびNi/N共ドープルチルTiO_2システムの電子構造および光学特性を計算した。上記のTiO_2システムを幾何学的に最適化した後に,バンド構造,電子状態密度およびスペクトル吸収係数を計算した。結果は,不純物エネルギー準位がNi-,N-ドープ系のバンドギャップ内に現れ,N-2p軌道とNi-3d軌道によって提供されることを示した。一方,より複雑な不純物エネルギー準位は,N/Ni共ドープルチルTiO_2のバンドギャップ内に現れた。共ドープしたルチルTiO_2は,より良い光吸収効率とより強い吸収カットオフ波長赤方偏移を有した。それはNi-3d軌道とN-2p軌道の混成によって引き起こされ,電子遷移が電子遷移に寄与し,ルチルTiO_2の吸収性能を強化するために,電子遷移が価電子帯最大から不純物準位まで,また不純物準位から伝導帯の底まで起こった。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  *ニッケル ,  赤方偏移 ,  電子遷移 ,  伝導バンド ,  第一原理 ,  *ルチル ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  不純物 ,  *光学的性質 ,  *ドーピング ,  不純物準位 ,  スペクトル ,  価電子バンド

著者キーワード (4件)： 光学的性質 ,  第一原理 ,  ルチルTiO_2結晶 ,  電子構造

分類 (4件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (7件)： ニッケル ,  窒素ドープ ,  ルチル ,  電子構造 ,  光学特性 ,  DFT ,  研究