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J-GLOBAL ID:201802260028922297   整理番号:18A0798791

NO_2ガスセンサのためのシリコン/酸化タングステンナノワイヤヘテロ接合の簡単な作製法【JST・京大機械翻訳】

Simple fabrication method of silicon/tungsten oxide nanowires heterojunction for NO2 gas sensors
著者 (5件):
資料名:
巻: 265  ページ: 522-528  発行年: 2018年 
JST資料番号: T0967A  ISSN: 0925-4005  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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二つの異なる材料間の界面で形成されたヘテロ接合はガス検知材料として多くの注目を集めている。特に,Si/酸化タングステン(WO_X)ヘテロ接合は低温でガス検出が可能であり,NO_2の感度と選択性を増加させることが知られている。しかし,Si/WO_Xナノ構造ベースのセンサの作製プロセスの間,ナノ構造の合成位置を制御することは困難である。したがって,それは複雑で時間がかかる。本研究では,n型シリコン/n型懸濁タングステン酸化物ナノワイヤ(WO_XNW)ヘテロ接合に基づく半導体ガスセンサを,Si MEMS構造上のWO_XNW合成のための応力誘起法により作製した。この作製技術により,WO_X NWの成長位置はWO_Xシード膜のパターン形成により制御でき,NWは20分間シード膜を簡単に加熱することにより合成できる。さらに,すべての製造プロセスはバッチプロセスから成る。従来のWO_Xベースのセンサと異なり,このセンサの抵抗は,Si/WO_XNWヘテロ接合のバンド曲がり現象により,NO_2,酸化ガスの存在下で減少した。作製したセンサは500ppbのNO_2を検出し,NO_2のような排ガスであるCOとトルエンに対して優れた選択性を示した。この選択性は,自動車や工場の排ガス中のNO_2を検出するためにセンサを使用するときに特に有用である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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