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J-GLOBAL ID：201802260049060652   整理番号：18A1254364

溶液処理二酸化スズ電子輸送層に基づく効率的ペロブスカイト発光ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Efficient perovskite light-emitting diodes based on a solution-processed tin dioxide electron transport layer

著者 (11件)： Wang Heyong (Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoeping University, Linkoeping 58183, Sweden. [e-mail] [e-mail]) ,  Yu Hongling ,  Xu Weidong ,  Yuan Zhongcheng ,  Yan Zhibo ,  Wang Chuanfei ,  Liu Xianjie ,  Fahlman Mats ,  Liu Jun-Ming ,  Liu Xiao-Ke ,  Gao Feng
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 6  号： 26  ページ： 6996-7002  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能ペロブスカイト発光ダイオード(PeLED)を達成するために,ペロブスカイト発光層の下の適切な機能層は,ペロブスカイト膜の形態を調節し,素子中の電荷注入と輸送を容易にするために非常に重要である。ここでは,初めて,電子輸送層として溶液処理SnO_2を用いた効率的なn-i-p構造化PeLEDを報告した。CH(NH_2)_2PBI_3およびCH_3NH_3PbI_3のような三次元ペロブスカイトは,一般的に使用されるZnOよりもSnO_2とより化学的に互換性があることが分かった。さらに,SnO_2は良好な透明性,優れた形態および適切なエネルギーレベルを示した。これらの特性は,SnO_2を三次元と低次元の両方のPeLEDの有望な候補とし,その中で7.9%の高い外部量子効率を実現した。さらに,ZnOベースのPeLEDのデバイス性能を改善するために広く用いられている界面材料もSnO_2ベースのPeLEDに適用され,それらの効果を系統的に研究した。ZnOと対照的に,これらの界面材料により修飾されたSnO_2は,光ルミネセンス消光により有害な効果を示した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 消光 ,  キャリア注入 ,  エネルギー準位 ,  界面 ,  酸化亜鉛 ,  構造形成 ,  *発光ダイオード ,  互換性 ,  光ルミネセンス ,  三次元
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  低次元 ,  透明性 ,  *電子輸送層 ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶液処理 ,  酸化スズ ,  電子輸送層 ,  ペロブスカイト ,  発光ダイオード