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J-GLOBAL ID：201802260074586323   整理番号：18A1724090

第一原理によるZnOの磁気的および光学的性質に及ぼすCeドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Ce doping on the magnetic and optical properties of ZnO by the first principle

著者 (5件)： Jia X.F. (College of Science, Inner Mongolia University of Technology, Hohhot 010051, China) ,  Hou Q.Y. (College of Science, Inner Mongolia University of Technology, Hohhot 010051, China) ,  Hou Q.Y. (Key Laboratory of Thin Films and Coatings of Inner Mongolia, Hohhot 010051, China) ,  Xu Z.C. (College of Science, Inner Mongolia University of Technology, Hohhot 010051, China) ,  Qu L.F. (College of Science, Inner Mongolia University of Technology, Hohhot 010051, China)
資料名： Journal of Magnetism and Magnetic Materials  (Journal of Magnetism and Magnetic Materials)
巻： 465  ページ： 128-135  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0644A  ISSN： 0304-8853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CeドープZnOの吸収スペクトルと磁気機構は議論の余地がある。これらの問題を解決するために,密度関数理論の第一原理一般化勾配近似+U(GGA+U)法に基づく幾何学的最適化とエネルギー計算を用いて,ZnOの磁気的および光学的性質に及ぼすCeドーピングの影響を調べた。最初に,非ドープZnOとCe-モノドープZnOスーパーセルモデルを計算した。3.13~6.25mol%の範囲の限られたドーピング量の範囲内で,より高いCeドーピング量の結果が,より高いドーピングシステム体積,より高い形成エネルギー,およびより低いシステム安定性の観点から観察された。純粋ZnOのバンドギャップと比較して,各ドーピング系のバンドギャップは狭くなり,吸収スペクトルは赤方偏移を示した。高いCeドーピング量はバンドギャップの弱い狭まりと吸収スペクトルの弱い赤方偏移をもたらした。単一ドープ系の強磁性はCeドーピング濃度の増加と共に増加し,主にCe-4f,Ce-5d,及びO-2p状態のハイブリッド結合効果に起因した。第二に,同じドーピング濃度と異なる空間配置を有する4つのZn_30Ce_2O_32スーパーセルモデルを計算した。Ce二重ドープZnO系のa軸結合に沿って-Ce-O-Ceをドープしたとき,比較的安定な反強磁性状態が観察されたが,-Ce-O-Ceがc軸の偏向に沿ってドープされたとき,有利な強磁性状態が見出された。ドーピングシステムのCurie温度は室温より高い。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収スペクトル ,  *磁気 ,  強磁性 ,  Curie温度 ,  *セリウム ,  赤方偏移 ,  *光学的性質 ,  *酸化亜鉛 ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  反強磁性 ,  *ドーピング ,  *第一原理
準シソーラス用語： 形成エネルギー ,  一般化勾配近似 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 第一原理 ,  CeドープZnO ,  室温強磁性 ,  吸収スペクトル

分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 第一原理 ,  ZnO ,  磁気 ,  光学的性質 ,  Ce ,  ドーピング