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J-GLOBAL ID：201802260219128267   整理番号：18A0820508

不動態化傾斜ブラックホスホレンナノリボンのバイアス依存輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Bias-dependent transport properties of passivated tilted black phosphorene nanoribbons

著者 (3件)： Subhan Fazle (Department of Physics, Pukyong National University, Busan 608-737, Korea. [e-mail]) ,  Farooq M. Umar ,  Hong Jisang
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 20  号： 16  ページ： 11021-11027  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非平衡Green関数(NEGF)法を組み込んだ密度汎関数理論を用いて,傾斜ホスホレンナノリボンのバイアス依存輸送を調べた。ここでは,自己不動態化(TPNR_自己),H不動態化(TPNR_H)およびO不動態化(TPNR_O)システムの3つのタイプのナノリボンを考察した。TPNR_自己は0.53eVの間接バンドギャップを示したが,TPNR_Hは1.32eVの直接バンドギャップを示した。TPNR_Oにおいて,スピン依存バンドギャップをもつスピン分極バンド構造を観測した。バイアス依存I-V曲線は不動態化効果に依存することを見出した。TPNR_自己とTPNR_Hにおいて,電流は外部バイアスによって単調に増加したが,TPNR_自己における電流の大きさはTPNR_自己におけるそれより10倍以上であった。TPNR_自己とTPNR_HにおけるI-V特性と異なり,TPNR_Oにおける電流は,1.7Vの外部バイアスを超えてほとんど消えた。主に,バイアス依存I-Vは鉛部分のバンド構造に基づいて解釈された。しかし,この従来の方法はI-V曲線を解析するのに十分ではないことが分かった。実際に,詳細なI-V曲線は,透過チャネルに関連する散乱部分におけるバイアス依存状態密度を計算することにより理解できることを示した。また,電子流チャネルは不動態化効果に依存し,TPNR_自己とTPNR_Hにおける全ナノリボン上に均一に分布していることも分かった。対照的に,電子はTPNR_Oのエッジ線に沿ってほとんど流れた。さらに,伝導電流におけるスピン分極は外部バイアスによって操作できることを見出し,これはTPNR_Oが潜在的なスピントロニクス応用に利用できることを示唆している。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スピントロニクス ,  チャネル ,  スピン分極 ,  *不動態化 ,  状態密度 ,  バンドギャップ ,  電流電圧特性 ,  電流 ,  散乱 ,  密度汎関数法 ,  *バイアス ,  バンド構造
準シソーラス用語： *ナノリボン ,  非平衡Green関数 ,  *輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  物理化学一般その他  (CB01030T) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 不動態化 ,  バイアス ,  輸送特性