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J-GLOBAL ID：201802260402119723   整理番号：18A1946040

塩化水素との相互作用によるSi(100)表面のエピタキシャル成長を抑制する反応の動力学【JST・京大機械翻訳】

Dynamics of reactions inhibiting epitaxial growth of Si(100) surfaces via interaction with hydrogen chloride

著者 (4件)： Kunioshi Nilson (Graduate School of Creative Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Ohkubo, Shinjuku 169-8555, Tokyo, Japan) ,  Fujimura Yoshiki (Graduate School of Creative Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Ohkubo, Shinjuku 169-8555, Tokyo, Japan) ,  Fuwa Akio (Graduate School of Creative Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Ohkubo, Shinjuku 169-8555, Tokyo, Japan) ,  Yamaguchi Katsunori (Graduate School of Creative Science and Engineering, Waseda University, 3-4-1 Ohkubo, Shinjuku 169-8555, Tokyo, Japan)
資料名： Computational Materials Science  (Computational Materials Science)
巻： 155  ページ： 28-35  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0443A  ISSN： 0927-0256  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長Si(100)表面におけるHClの反応の動力学を,異なるサイズと形状のクラスタを用いて計算法により調べた。解析は,B3LYP/6-31G(d,p)レベルで,Gauss09を通して行った。H-不動態化二量体上へのHClの吸着は,非不動態化二量体上では容易に進行しないことが分かった。さらに,HClと表面二量体上に吸着したSiCl_2部分の間の反応の分析は,HClがSiCl_2またはSiHCl_3分子の形で表面からSiCl_2部分の脱離,または隣接二量体への部分の拡散をもたらすことを示した。しかし,SiCl_2が吸着された二量体が吸着前にH-不動態化されたとき,HClとSiCl_2部分との反応は著しく困難になった。従って,表面二量体のH-不動態化は,HCl吸着に対する表面を保護することにより表面成長を促進し,吸着SiCl_2部分の脱離または拡散を防ぐことにより,成長機構における重要な中間体として指摘される。これらの結果は,すでに文献で公表されているシリコン蒸着前の表面二量体のH不動態化の利便性に対して見出された証拠と一致している。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 脱着 ,  中間体 ,  計算 ,  蒸着 ,  クラスタ ,  *相互作用 ,  不動態化 ,  ケイ素 ,  二量体 ,  吸着 ,  表面反応 ,  塩酸 ,  *塩化水素 ,  *シリコン(100) ,  改変

著者キーワード (4件)： シリコン表面 ,  表面反応 ,  反応動力学 ,  量子化学計算

分類 (1件)： 固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 塩化水素 ,  相互作用 ,  Si ,  エピタキシャル成長 ,  動力学